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[常见问题解答]深入探索VDMOS：结构、性能与实际应用[ 2024-10-16 12:28 ]

垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）是一种常见的功率半导体器件，广泛用于电子设备中的功率转换和开关控制。VDMOS凭借其独特的结构设计和优异的性能，已成为电力电子领域的领先技术。VDMOS器件的正式名称是Vertical Double Diffused Metal Oxide Semiconductor，它采用垂直结构来实现电流流动。与水平结构的MOSFET相比，VDMOS采用垂直电流路径，这使其能够更好地处理更高功率并有效降低器件的导通电阻。一、VDMOS的基本结构VDMOS的基本结构包括源极、漏极、栅极和漂

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[常见问题解答]从零开始了解Vdmos器件：设计理念与技术创新[ 2024-09-29 16:58 ]

随着电子设备的不断发展，半导体器件在各种应用领域中的作用愈发重要。VDMOS（Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor，垂直双扩散金属氧化物半导体）作为一种具有垂直结构的功率MOSFET，凭借其独特的设计理念与卓越的技术性能，成为现代电子电路中不可或缺的重要元件。那么，VDMOS器件究竟有何独特之处？其设计理念和技术创新又体现在哪些方面呢？本文将带你从零开始，深入了解VDMOS器件的技术细节与创新优势。1. 什么是VDMOS器件？VDMOS是一种基于MOS

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[常见问题解答]VDMOS与MOS的核心区别及应用场景解析[ 2024-09-29 16:38 ]

在半导体器件的世界中，VDMOS（垂直双扩散金属氧化物半导体）和MOS（金属氧化物半导体）两种器件由于其结构和性能的不同，在各自的应用领域中各显神通。本文将详细解析VDMOS与MOS的核心区别，帮助读者更好地理解它们在不同应用场景中的优势与局限。一、VDMOS与MOS的结构差异VDMOS是一种垂直结构的功率MOSFET器件，它的设计特点在于源极位于硅片的顶部，而漏极则在硅片的底部。栅极通过一层氧化物层与其他部分隔离开来。通过这种垂直扩散的方式，VDMOS能够实现低导通电阻和高耐压能力，这使得它在高电压和大电流的场合

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[常见问题解答]快恢复二极管的设计改进及其在高频电路中的应用[ 2024-04-13 14:35 ]

探索快速恢复二极管的动态恢复性能优化随着电力电子技术的快速发展，如变频器、PWM脉宽调制器、斩波器及其他电力电子设备的普及不断提升。在这些设备的核心电路中，常常使用晶闸管、VDMOS、IGBT、GTO等现代电子元件，而与这些元件并联的快恢复二极管（FRD）则发挥着至关重要的角色。这些二极管不仅减少电容的充放电周期，还提供必要的无功电流通道，有效地抑制因负载电流突变引起的高压感应。二极管的反向恢复过程二极管在传导正向电流期间，其PN结存储了大量的少数载流子。这些载流子的存在虽可降低二极管的通态电压（VF），但当施加反

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[常见问题解答]IGBT的关断过程影响解析[ 2023-06-17 15:24 ]

IGBT的关断过程影响解析从电压电流对IGBT的关断过程进行分析01前言绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 是双极型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOSFET) 的复合器件,IGBT将BJT的电导调制效应引入到VDMOS 的高阻漂移区, 大大改善了器件的导通特性, 同时还具有MOSFET栅极输入阻抗高、开关速度快的特点。很多情况，由于对IGBT关断机理认识不清, 对关断时间随电压和电流的变化规律认识不清, 导致无法解释在使用过程中出现的电流拖尾长、死区时间长等现象, 不能充分发挥IGBT 的性能; 导致IGBT因使

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[行业资讯]SVF3N50D参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-25 14:09 ]

SVF3N50D/MJ,N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

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[行业资讯]FIR5N50LG,TO-252,中文参数,引脚图,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-25 13:52 ]

FIR5N50BPG,LG硅N沟道增强型VDMOSFET，采用自对准平面技术获得，可降低传导损耗，提高开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于系统的各种电源开关电路小型化和更高的效率。封装形式为符合RoHS标准的TO-251。

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[常见问题解答]〔壹芯〕生产80N07场效应管80A-70V,参数达标,质量稳定[ 2021-06-08 12:17 ]

〔壹芯〕生产80N07场效应管80A-70V,参数达标,质量稳定场效应管(MOSFETS)型号：80N03　　　　　　　极性：NIDA(A)：80　　　　　　　VDSS(V)：70RDS(on)　MAX(Ω)：0.0085　VGS(V)：10 VGS(th)　(V)：2~4Gfs(min)　(S)：60　Vgs(V)：20　Io(A)：40封装：TO-220 TO-252VDMOSFET的知识科普垂直导电的双扩散MOS结构称为VDMOSFET，其典型结构如图1.5所示。沟道部分是由同一扩散窗利用两次扩散形

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[常见问题解答]〔壹芯〕生产120N03场效应管120A-30V,参数达标,质量稳定[ 2021-06-08 12:07 ]

〔壹芯〕生产120N03场效应管120A-30V,参数达标,质量稳定场效应管(MOSFETS)型号：120N03　　　　　　极性：NIDA(A)：120　　　　　　　VDSS(V)：30RDS(on)　MAX(Ω)：0.0038　VGS(V)：10 VGS(th)　(V)：1~3Gfs(min)　(S)：48　Vgs(V)：10　Io(A)：40封装：TO-220 TO-252VVMOSFET的科普知识根据结构形式的不同，VMOSFET分为VVMOSFET和VDMOSFET两种基本类型。VVMOSFET结

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[常见问题解答]〔壹芯〕生产10N65场效应管10A-650V,参数达标,质量稳定[ 2021-06-07 09:46 ]

〔壹芯〕生产10N65场效应管7A-650V,参数达标,质量稳定场效应管(MOSFETS)型号：10N65　　　　　　　极性：NIDA(A)：10　　　　　　　VDSS(V)：650RDS(on)　MAX(Ω)：1.0　VGS(V)：10 VGS(th)　(V)：2~4Gfs(min)　(S)：6.2　Vgs(V)：40　Io(A)：5.0封装：TO-220场效应管的主要性能参数本文再次主要以VDMOS(垂直双扩散MOS)为例进行介绍。VDMOS的结构如图5-20所示。VDMOS的电性能参数如下。（1）阙

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[常见问题解答]vdmos结构原理与特点-LDMOS与VDMOS对比分析[ 2019-11-09 12:13 ]

vdmos结构原理与特点-LDMOS与VDMOS对比分析vdmos介绍vdmos结构原理是本文要讲述的，80年代以来，迅猛发展的超大规模集成电路技术给高压大电流半导体注入了新的活力，一批新型的声控功放器件诞生了，其中最有代表性的产品就是VDMOS声效应功率晶体管。这种电流垂直流动的双扩散MOS器件是电压控制型器件。在合适的栅极电压的控制下，半导体表面反型，形成导电沟道，于是漏极和源极之间流过适量的电流，VDMOS兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点。与双极晶体管相比，它的开关速度，开关损耗小；输入阻抗高，驱动功率小

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[常见问题解答]功率器件5大保护措施与技术发展趋势如何[ 2019-11-09 11:41 ]

功率器件5大保护措施与技术发展趋势如何功率器件简介本文讲功率器件保护措施有哪些？我们先对功率器件做一个简单的介绍。功率半导体是集成电路一个非常重要的组成部分，市场空间有400多亿美元，从大方面讲有200多亿美元是功率IC，还有100多亿是功率器件。手机充电器，手机当中都会有功率器件。功率器件主要的部分，体量比较大的是IGBT。把IGBT、VDMOS做好，就是一个很好的硬件厂商。IGBT模块是双子器件，它的特点是频率低一点，但是能量密度稍微大一点。所以像在新能源汽车，轨道交通应用得更广泛。功率器件的重要性，我们从下面

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