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[常见问题解答]静态特性对比分析：Si与SiC MOSFET在参数表现上的差异[ 2025-04-19 11:35 ]

在当今高性能电力电子领域，MOSFET被广泛应用于开关电源、电机控制和功率变换系统中。随着对高效率、高电压能力的需求不断增长，基于碳化硅材料（SiC）的MOSFET逐步进入工业和商用市场，成为传统硅基MOSFET（Si MOSFET）的有力替代者。1. 开启阈值电压 Vth 的比较在栅极驱动控制方面，MOSFET的开启阈值电压起着至关重要的作用。通常，Si MOSFET的Vth范围集中在2V到4V之间，而SiC MOSFET则略高，普遍在3V到5V之间。这意味着SiC器件在驱动电路设计上更倾向于使用高压栅极驱动信号

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[常见问题解答]SiC MOSFET栅极氧化层老化机制与评估方法解析[ 2025-04-07 11:17 ]

随着碳化硅（SiC）器件在高压、高温和高频电力转换领域的逐步普及，其可靠性研究成为保障系统稳定运行的重要环节。作为SiC MOSFET核心结构之一的栅极氧化层，其老化机制直接影响整个器件的电气性能与寿命预期。因此，深入理解其老化过程，并构建科学合理的评估体系，对实现器件可靠性管理具有重要价值。一、栅极氧化层的老化机制剖析SiC MOSFET通常采用热氧化方式形成的二氧化硅（SiO?）作为栅氧材料。相比硅MOSFET，SiC器件在高电场与高温环境下工作更为频繁，因此其栅氧层在长期应力作用下易出现退化现象。栅氧层老化主

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[常见问题解答]突破性SiC失效检测方案：如何精准定位故障根源[ 2024-12-13 11:39 ]

随着功率半导体技术的不断发展，碳化硅（SiC）材料以其优异的电性能、耐高温、耐辐射等优点，广泛应用于现代能源、汽车、通信等领域。对于高功率和高频应用，SiC器件显示出显著的优势。然而，SiC器件在高电压、大电流等极端工作条件下的失效问题仍然是亟待解决的问题，其根本原因已成为半导体行业的重要研究课题。二、SiC器件的故障特征SiC作为第三代半导体材料，与传统硅相比具有显著改进。它更大的带隙使其能够在更高的电压和温度下工作，而更高的导热率使其能够承受更大的热应力。然而，高温和频繁开关使SiC器件容易出现故障、过热等问题

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[常见问题解答]SiC器件开关性能受系统寄生参数影响的深入探讨[ 2024-09-04 14:36 ]

随着碳化硅（SiC）技术的不断成熟和推广，其在高压电力电子设备中的应用日益增加。SiC器件因其能在高温、高压和高频率条件下工作而受到青睐。然而，系统内部的寄生参数，如寄生电容和寄生电感，对SiC器件的开关性能有着显著影响。本文通过详细分析，探讨这些系统寄生参数是如何影响SiC器件的性能，尤其是在开关操作中的具体表现。一、寄生电感的影响在电力电子转换系统中，寄生电感主要来源于电连接和布线。在SiC MOSFETs和二极管开关时，寄生电感可以引起显著的电压超调，从而对器件造成额外的电压应力。当开关器件尝试快速切换时，这

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[常见问题解答]深入探讨：碳化硅在先进电子设备中的关键作用[ 2024-07-30 12:11 ]

1. 碳化硅MOSFET的驱动门极电压与导通电阻之谜研究表明，SiC MOSFET的漂移层阻抗远低于Si MOSFET，但其沟道迁移率较低，导致阻抗略高。因此，提升门极电压有助于降低导通电阻。使用Vgs=18V的驱动电压，可以最大化其低导通电阻的性能，推荐负压设置为约-3。此外，市场上已有Vgs=15V和预计将推出Vgs=12V的碳化硅MOSFET，旨在与硅基器件的驱动电压统一。2. SiC器件与传统硅器件的对比SiC器件的绝缘击穿场强是Si的10倍，允许使用更薄的漂移层来实现高耐压。因此，在相同耐压下，SiC的标

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[常见问题解答]SiC肖特基二级管在充电机电路中的应用介绍[ 2023-06-30 18:04 ]

车载充电机是电动汽车内部的核心部件，其功能是按照电池管理系统的指令，动态调节充电电流和电压参数，完成电动汽车的充电过程。作为一款电力电子设备，车载充电机功率电路主要由AC-DC和DC-DC电路组成。车载充电机充电框图随着电动汽车技术的不断发展和人们日益增长的充电效率需求，车载充电机的性能也在不断地提升。传统的Si器件由于其耐压和开关频率的限制，已经不能满足车载充电机日益增长的性能需求。而高耐压、低损耗且具有高速开关特性的SiC器件，正逐步取代Si器件成为车载充电机的主流应用。下面我们以6.6kW车载充电机为例，介

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[常见问题解答]提高4H-SiC肖特基二极管和MOSFET的雪崩耐受性[ 2021-01-12 17:41 ]

提高4H-SiC肖特基二极管和MOSFET的雪崩耐受性半导体市场的最新趋势是广泛采用碳化硅（SiC）器件，包括用于工业和汽车应用的肖特基势垒二极管（SBD）和功率MOSFET。与此同时，由于可供分析的现场数据有限，这些器件的长期可靠性成为一个需要解决的热点问题。一些SiC供应商已开始根据严格的工业和汽车（AEC-Q101）标准来认证SiC器件，而另一些供应商不但超出了这些认证标准的要求，还能为恶劣环境耐受性测试提供数据。为了使SiC器件在任务和安全关键型应用中保持较高的普及率，应将这种认证和测试策略与特定的设计规则

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