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[技术文章]SI2300 典型应用电路[ 2024-04-28 17:43 ]

SI2300 是一种MOSFET晶体管，广泛应用于多种电子设备中，以其卓越的性能特点在行业中受到推崇。以下将详细介绍其应用场景和参数特点。一、应用场景1. 电源管理：SI2300 被广泛应用于电源管理系统，特别是在便携式电子设备中，如智能手机和笔记本电脑。它能有效地控制电源的分配和转换，提高设备的能效和稳定性。2. 开关控制：在需要高速开关的应用中，SI2300 提供了优秀的解决方案。例如，在LED照明系统和高频电源转换器中，这种晶体管可以用来控制电流的快速开关，从而提高系统的响应速度和效率。3. 信号转换：在模拟

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[行业资讯]SI2300场效应管参数|SI2300(SOT23)规格书资料|壹芯微[ 2022-02-18 17:59 ]

SI2300场效应管参数|SI2300(SOT23)规格书资料|壹芯微产品类型场效应管产品型号 SI2300 极性 NPN 漏源电压 20V 漏极电流 3.8A 封装 SOT-23

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[行业资讯]si2300,si2300场效应管参数,引脚图,si2300规格书中文资料 - 壹芯微[ 2022-02-14 10:33 ]

si2300,si2300场效应管参数,引脚图,si2300规格书中文资料 - 壹芯微产品型号：si2300描述：MOSFET N-CH 20V 4.5A SOT23详细描述：表面贴装型,N通道,20V,4.5A（Tj）1W,SOT-23制造商：Shenzhen Yixinwei Technology Co.,Ltd供应商：深圳市壹芯微科技有限公司规格书：si2300规格书si2300引脚图si2300电路符号si2300产品属性类型描述类别分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个制造商Micro

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[行业资讯]SI2300场效应管参数中文资料贴片封装引脚图报价规格书pdf 现货厂家[ 2021-08-23 15:08 ]

型号：SI2300；极性：N沟道；ID/VDSS：3.8A/20V；封装：SOT-23 SI2300采用先进的沟槽工艺技术，用于超低导通电阻的高密度电池设计，高功率和电流处理能力，锂离子电池组应用的理想选择包装尺寸。

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[行业资讯]「SI2300,SI2301,SI2302」场效应管与mos管两者的区别-壹芯微[ 2021-07-26 09:20 ]

「SI2300,SI2301,SI2302」场效应管与mos管两者的区别-壹芯微产品供应信息型号：SI2300,SI2301,SI2302(场效应MOSFET)品牌：壹芯微|类型：场效应管封装：SOT-23|多种封装尺寸不同参数一致免费样品欢迎咨询主要参数参数\型号SI2300SI2301SI2302极性NPNID(A)3.8-2.42.5VDSS(V)20-2020RDS(ON):Max(Ω)0.040.10.06RDS(ON):VGS(Ω)4.5-4.54.5VGS(th):(V)0.6~1.5-0.4

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[行业资讯]SI2300 SOT-23参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-07-09 09:25 ]

SI2300 SOT-23参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微SI2300（N沟道增强型场效应晶体管）品牌：壹芯微|类型：场效应管|封装：SOT-23|批号：21+|备注：全新国产优质现货质量放心高性价比SI2300场效应管主要参数参数\型号SI2300极性NID(A)3.8VDSS(V)20RDS(ON):Max(Ω)0.04RDS(ON):VGS(Ω)4.5VGS(th):(V)0.6~1.5Gfs(min):(S)13Gfs(min):Vgs(V)15Gfs(min):Io(A)2.9封装SO

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[常见问题解答]SI2300小信号场效应晶体管参数规格中文资料[ 2021-06-03 15:18 ]

SI2300小信号场效应晶体管参数规格中文资料微型商业组件小信号场效应晶体管（详细参数）参数名称参数值是否Rohs认证符合生命周期ActiveReach Compliance CodecompliantECCN代码EAR99风险等级1.82Samacsys DescriptionMOSFET N-Ch Enh FET 20Vds 4.5A 10Vgs 1WSamacsys ManufacturerMicro Commercial Components (MCC)峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED处

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[常见问题解答]MOS管SI2300参数-壹芯微二极管[ 2019-08-13 13:17 ]

壹芯微作为国内专业生产二三极管的生产厂家,生产技术已经是非常的成熟,进口的测试仪器,可以很好的帮组到客户朋友稳定好品质,也有专业的工程师在把控稳定质量,协助客户朋友解决一直客户自身解决不了的问题,每天会分享一些知识或者客户的一些问题,今天我们分享的是,MOS管SI2300参数,请看下方MOS管SI2300参数PD最大耗散功率：1.25WID最大漏源电流：3.8AVV(BR)DSS漏源击穿电压：20VRDS(ON)Ω内阻：40MΩVRDS(ON)ld通态电流：5AVRDS(ON)栅极电压：1.5VVGS(th)V开启

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