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[常见问题解答]MOS管知识-mosfet体效应(衬偏效应)分析[ 2020-12-04 16:51 ]: MOS管知识-mosfet体效应(衬偏效应)详解mosfet体效应(衬偏效应)详解关于MOSFET的体效应（body-effect,衬底调制效应／衬偏效应），主要是来源于mos管的S-B(Source-Bulk)端之间的偏压对MOSFET阈值电压vth的影响：以NMOS为例，当晶体管的源端（Source)电势高于体端（Bulk)电势时，栅下面的表面层中将有更多的空穴被吸引到衬底，使耗尽层中留下的不能移动的负离子增多，耗尽层宽度增加，耗尽层中的体电荷面密度Qdep也增加。而从一般的MOSFET的阈值电压的关系式中Vt; http://www.szyxwkj.com/Article/mosgzsmosf_1.html

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