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[常见问题解答]MOSFET电路设计:栅源极并联电容导致炸管的机理探讨[ 2024-11-16 11:10 ]
在MOSFET电路设计中,栅极和源极之间的并联电容通常被认为是降低栅极信号峰值的优化方法。但根据实际应用情况,可能会出现MOSFET管爆炸的情况。为什么小电容会导致MOSFET管爆炸呢?本文将详细探讨这一现象的本质机理。一、栅源并联电容的常见用途在MOSFET电路中,栅极和源极之间并联电容的主要目的是稳定栅极信号,特别是减少噪声干扰和高频振荡。该电容通常用于以下场景:1. 降低栅极驱动的高频噪声,保证驱动电路阻抗变化引起的信号完整性。2. 提高MOSFET的抗干扰能力,特别是在开关频率较高的电路中。虽然这种设计在许
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[常见问题解答]场效应管源极和漏极的区别[ 2024-03-12 18:43 ]
场效应管源极和漏极的区别漏极外接二极管(Drain-Source Diode,简称D-S二极管)在MOSFET电路中起到了重要的作用,本文将介绍MOSFET源极和漏极之间的区别。首先,让我们一起了解一下MOSFET的基本结构。MOSFET是金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)的简称。它由一个绝缘层上方的金属接电极(Gate极)、一个隔离的绝缘层和P型或N型的半导体材料组成。这两个区域分别称为漏区(Drain Regio
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[常见问题解答]MOSFET电路图文介绍[ 2023-06-09 17:43 ]
MOSFET电路图文介绍MOSFET已成为最常用的三端器件,它们非常小,制造过程非常简单。由于MOSFET的特性,模拟电路和数字电路都成功地实现了集成电路,MOSFET电路可以从大信号模型小信号模型两种方式进行分析。大信号模型是非线性的。它用于求解器件电流和电压的de值。小信号模型可以在大信号模型线性化的基础上推导出来。截止区、三极管区和饱和区是MOSFET的三个工作区。当栅源电压(VGS)小于阈值电压(Vtn)时,器件处于截止区。当MOSFET用作放大器时,它工作在饱和区。用作开关时处于三极管或截止区。01MOS
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[常见问题解答]MOSFET电路类型集合与特性分析[ 2019-10-12 12:32 ]
已成为最常用的三端子器件的MOSFET带来了电子电路领域的革命。如果没有MOSFET,现在集成电路的设计似乎是不可能的。它们非常小,制造过程非常简单。由于MOSFET的特性,成功完成了模拟和数字电路集成电路的实现,可以通过两种方式分析MOSFET电路 - 大信号模型小信号模型。大信号模型是非线性的。它用于求解器件电流和电压的de值。可以基于大信号模型的线性化导出小信号模型。截止区域,三极管区域和饱和区域这些是操作MOSFET的三个区域。当栅极 - 源极电压(V GS)小于阈值电压(V tn)时,器件处于截止区域。当
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