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[常见问题解答]要怎么降低mosfet导通压降-降低高压MOSFET导通电阻原理以及方法[ 2020-12-04 17:04 ]: 要怎么降低mosfet导通压降-降低高压MOSFET导通电阻原理以及方法MOS管如何把MOS管导通时电压降控制在最小如何降低mosfet导通压降，Rds（on）是MOS管导通时，D极和S极之间的内生电阻，它的存在会产生压降，所以越小越好。D极与S极间电流Id最大时完全导通。在图中可以看到Vgs=10v完全导通，电阻Rds=5欧左右，电流Id=500mA（最大，完全导通），产生压降Vds=2.5v。而Vgs=4.5v时，Id=75mA（不是最大，没完全导通），Rds=5.3欧左右，虽然没完全导通，但产生的压降Vds=; http://www.szyxwkj.com/Article/yzmjdmosfe_1.html

[常见问题解答]浅谈碳化硅mosfet驱动和硅IGBT的区别-应用与分类[ 2020-08-31 15:07 ]: 浅谈碳化硅mosfet驱动和硅IGBT的区别-应用与分类碳化硅mosfet本文主要讲硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动的区别。我们先来看看碳化硅mosfet概述：在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。碳化硅mosfet驱动与硅IGBT的区别硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，; http://www.szyxwkj.com/Article/qtthgmosfe_1.html

[常见问题解答]一种智能的碳化硅MOSFET驱动核和驱动要求与特性详解[ 2020-08-28 16:08 ]: 一种智能的碳化硅MOSFET驱动核和驱动要求与特性详解碳化硅mosfet是什么在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。一种智能的碳化硅MOSFET驱动核详解近年来，以碳化硅、氮化镓材料为代表的第三代宽禁带功率半导体器件越来越受到客户的追捧。特别是碳化硅材料的MOSFET、肖特基二极管，以其宽带隙，高电场强度，良好散热特性，以及高可靠性等特点，为客户的产品带来高效率; http://www.szyxwkj.com/Article/yzzndthgmo_1.html

[常见问题解答]MOSFET导通电阻Rds(ON)及VGS-结温-耐压的关系解析[ 2020-04-07 15:30 ]: MOSFET导通电阻Rds(ON)及VGS-结温-耐压的关系解析导通电阻Rds(ON)是场效应管（MOSFET）的一项重要参数，mos管在越来越多的新能源和汽车电子应用中，都能发现MOSFET的身影，而且很多应用要求超低导通电阻的MOSFET功率器件。什么是Rds(ON)？Rds(ON)是MOSFET工作（启动）时，漏极D和源极S之间的电阻值，单位是欧姆。对于同类MOSFET器件，Rds(ON)数值越小，工作时的损耗（功率损耗）就越小。mos管工作电路对于一般晶体管，消耗功率用集电极饱和电压（VCE(sat)）乘以; http://www.szyxwkj.com/Article/mosfetdtdz_1.html

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