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[常见问题解答]氮化镓MOSFET寄生二极管问题及其对电路性能的影响[ 2025-04-21 15:03 ]
氮化镓(GaN MOSFET,也称为金属氧化物半导体场效应管)已被广泛应用于高效电源转换和高频功率电子设备中,因为它具有许多优点,包括高速开关、低导通电阻和高温适应能力。然而,与其他半导体器件一样,氮化镓MOSFET的寄生二极管问题会影响电路的性能,尤其是在开关操作中。一、氮化镓MOSFET中的寄生二极管氮化镓MOSFET的寄生二极管主要是由于PN结的存在而形成的。每个MOSFET都有一个寄生二极管,这种二极管通常位于栅源结和漏源结之间。寄生二极管的形成源自器件中导电材料和半导体材料之间的接触,使得它在某些情况下起
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