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[常见问题解答]MOSFET击穿电压-MOS管击穿特性原因以及解决方案[ 2020-12-08 15:50 ]: MOSFET击穿电压-MOS管击穿特性原因以及解决方案MOSFET击穿电压有哪几种场效应管的三极:源级（Source）S、漏级（Drain）D、栅级（Gate）G(这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对MOSFET击穿电压漏极电压击穿)先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫描漏极电压，直至Drain端电流达到1uA。所以从器件结构上看，它的漏电通道有三条：Drain（漏级）到source（源级）、Drain（漏级）到Bulk、Drain（漏级）到Gate（栅级）。1)MOSFET击穿电压-Drain（漏极）->; http://www.szyxwkj.com/Article/mosfetjcdy_1.html

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