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[常见问题解答]提升超结MOSFET体二极管效率的优化策略[ 2024-11-30 10:57 ]
随着现代电力电子技术的快速发展,MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)以其开关损耗低、响应快、高频等特点成为高效电力变换系统的核心器件。由于其卓越的性能,MOSFET在高频、高电压和大电流应用中取得了长足的进步。然而,在实际应用中,超级结MOSFET的体二极管的性能仍然是影响整体效率和稳定性的关键因素。因此,优化超级结MOSFET的体二极管效率已成为提高器件整体性能的关键问题。一、超级结MOSFET与体二极管的关系超级结MOSFET主要通过在芯片内引入多个P型和N型区域交替放置,形成类似“超级结&
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[常见问题解答]理解功率MOSFET体二极管反向恢复特性知识[ 2019-09-25 13:48 ]
半桥、全桥和LLC的电源系统以及电机控制系统的主功率MOSFET、同步Buck变换器的续流开关管、以及次级同步整流开关管,其体内寄生的二极管都会经历反向电流恢复的过程。功率MOSFET的体二极管的反向恢复性能和快恢复二极管及肖特基二极管相比,其反向恢复速度要低很多,反向恢复电荷也要大很多,因此反向恢复的特性较差。这样,导致二极管的开关损耗增加,降低系统的效率,同时,也会产生较高的振铃,影响功率MOSFET的安全工作 。功率MOSFET数据表中,通常给出了一定条件下的Qrr和反向恢复的时间,并没有给出和实际应用相关的
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