收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
当前位置:首页 » 全站搜索 » 搜索:mos管特性
[常见问题解答]分析短沟道效应-MOSFET的短沟道效应知识[ 2020-11-10 16:57 ]
分析短沟道效应-MOSFET的短沟道效应知识MOSFET的短沟道效应当MOS晶体管的沟道长度小到可以和漏结及源结的耗尽层厚度相比拟时,会出现一些不同于长沟道MOS管特性的现象,统称为短沟道效应,它们归因于在沟道区出现二维的电势分布以及高电场。MOSFET的短沟道效应:当沟道区的掺杂浓度分布一定时,如果沟道长度缩短,源结与漏结耗尽层的厚度可与沟道长度比拟时,沟道区的电势分布将不仅与由栅电压及衬底偏置电压决定的纵向电场有关,而且与由漏极电压控制的横向电场也有关。换句话说,此时缓变沟道近似不再成立。这个二维电势分布会导致
http://www.szyxwkj.com/Article/fxdgdxymos_1.html3星

地 址/Address

工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
电话:13534146615 企业QQ:2881579535

扫一扫!

深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号