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[常见问题解答]MOS管开关损耗以及导通损耗分析[ 2020-11-05 16:36 ]
MOS管开关损耗以及导通损耗分析人们对开关电源的要求越来越高,要求开关电源的体积越来越小,这也意味着开关频率越来越高。随着开关频率的提高,降低变换器的开关损耗也变得极其重要。开关频率越高,每秒钟开关管改变状态的次数就越多,开关损耗也就越大。这次就来弄清楚在每次开关转换过程中所发生事件的基本时序。一、开关损耗(一)阻性负载时的开关转换过程:MOS管,开关损耗,导通损耗图中作为理想的N沟道MOS讨论:其特性如下:1、当Vgs=0时MOS管完全关断;当Vgs高于参考地时,开始导通。2、漏极电流与栅极电压之比定义为MOS的
http://www.szyxwkj.com/Article/mosgkgshyj_1.html3星
[常见问题解答]MOS管知识-MOS管开关损耗及导通损耗分析[ 2020-09-15 17:49 ]
MOS管知识-MOS管开关损耗及导通损耗分析人们对开关电源的要求越来越高,要求开关电源的体积越来越小,这也意味着开关频率越来越高。随着开关频率的提高,降低变换器的开关损耗也变得极其重要。开关频率越高,每秒钟开关管改变状态的次数就越多,开关损耗也就越大。这次就来弄清楚在每次开关转换过程中所发生事件的基本时序。一、开关损耗(一)阻性负载时的开关转换过程:图中作为理想的N沟道MOS讨论:其特性如下:1、当Vgs=0时MOS管完全关断;当Vgs高于参考地时,开始导通。2、漏极电流与栅极电压之比定义为MOS的跨导g,以欧姆(
http://www.szyxwkj.com/Article/mosgzsmosg_1.html3星

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