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[常见问题解答]优化MOS管开关性能:应对米勒效应的最新技术与方法[ 2024-05-27 10:48 ]
一、MOSFET的驱动机制与米勒平台在电路设计中,MOSFET的栅极驱动过程至关重要,涉及对MOSFET输入电容的充放电,尤其是栅源极电容Cgs。一旦Cgs电荷达到门槛电压,MOSFET即切换至开启状态。接着,随着Vds下降和Id上升,MOSFET进入饱和区。然而,由于米勒效应,Vgs在一段时间内停滞,即使此时Id已达最大值,Vds仍在下降,直至米勒电容充满电。再次将Vgs上升至驱动电压时,MOSFET进入电阻区,Vds彻底下降至最低,完成开启过程。米勒电容的存在限制了Vgs上升速度,影响了Vds下降速度,因此延长
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