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[常见问题解答]MOS管与IGBT的区别是什么?一文搞懂它们的不同特性[ 2025-02-07 11:36 ]
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)与IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)是功率电子领域中广泛应用的两类半导体器件。尽管它们都具备开关控制的能力,在电力电子系统中发挥着关键作用,但由于其内部结构和工作机制存在差异,导致它们在不同的应用场景和性能特性上展现出各自的优势。一、工作原理与结构区别1. MOS管工作原理MOS管是一种电压控制型器件,主要依靠栅极电压控制通道的导通和截止。当栅极施加电压时,半导体
http://www.szyxwkj.com/Article/mosgyigbtd_1.html3星

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