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[常见问题解答]驱动电路设计避坑指南:MDDMOS管开关故障解析与修复[ 2025-03-17 12:17 ]
在现代电力电子系统中,MDDMOS管(中低压双扩展MOS管)因其高效、低损耗的特性,广泛应用于变频器、开关电源、光伏逆变器等领域。然而,在实际电路设计和应用过程中,MDDMOS管的开关异常问题常常成为影响设备可靠性和寿命的关键因素。一、栅极驱动异常:振荡与过冲问题1. 故障现象在某变频器驱动波形测试中,发现MOS管栅极信号存在高频振荡,导致器件发热严重,开关效率下降。此外,在某些电路中,开关过程中栅极过冲现象明显,Vgs一度超过MOS管的最大额定值,存在击穿风险。2. 根本原因- 传统示波器探针接地线过长,导致测量
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