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[常见问题解答]IGBT散热原理及导热机理深度解析[ 2025-02-11 12:02 ]
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)是一种结合了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)与双极型晶体管(BJT)优点的功率半导体器件。它在高压、高频、高效能的电力电子系统中应用广泛,如变频器、电动汽车驱动、电力变换器等。然而,IGBT在工作过程中会产生大量热量,如何有效管理这些热量成为确保器件长期稳定运行的关键。一、IGBT的热量产生机制IGBT在工作时主要的能量损耗会以热的形式释放,主要包括以下几类:1. 开通损耗:当IGBT从关断状态切换到导
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