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[常见问题解答]MOS管ESD防护技术与优化设计要点[ 2025-03-20 11:56 ]
MOS管的ESD防护技术与优化设计是确保其稳定性和可靠性的关键环节。在电子电路中,MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)因其高输入阻抗和低功耗的特性被广泛应用。然而,MOS管的栅极极易受到静电放电(ESD)损害,若防护不当,可能导致器件失效。因此,在设计和应用过程中,合理的ESD防护措施和优化策略至关重要。一、ESD对MOS管的影响静电放电是一种短时间的高电压冲击,可能源于人体、设备或环境中的电荷积累。当ESD发生时,会在MOS管内部产生瞬态高电流,进而导致栅氧化层击穿、PN结损坏或寄生结构触发,严重时甚至会
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