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[常见问题解答]CMOS与非门电路的输入端电阻:设计选择与性能影响[ 2024-11-04 12:08 ]
CMOS与非门电路的输入端电阻是电子电路设计中的一个重要因素,它直接关系到电路的性能和可靠性。深入理解这两种电路的输入端电阻特性,可以帮助工程师在实际应用中作出更有效的设计选择,确保电路在各种工作条件下稳定运行。首先,CMOS(互补金属氧化物半导体)电路以其高输入阻抗而受到广泛欢迎,通常可达兆欧级别。这一特性使CMOS电路能够以极低的输入电流接收信号,从而减少功耗并避免对信号源造成负担。需要注意的是,当输入端处于悬空状态时,电位可能会变得不稳定,影响逻辑信号的正确性。为避免此类问题,设计师通常会通过限流电阻将不使用
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[常见问题解答]如何优化CMOS数字集成电路设计?技术指南与实用建议[ 2024-07-29 16:40 ]
在电子系统中,CMOS(互补金属氧化物半导体)技术被广泛采用,其数字集成电路因具备多种显著优势而成为关键组成部分。本文深入探讨了CMOS数字集成电路的结构、工作原理以及其在各领域的应用。一、CMOS数字集成电路特点CMOS电路是一种特别的数字化集成电路,使用了互补的P型和N型MOSFET。它们以非常低的功耗运作,这得益于其独特的互补门结构,确保了只有在状态切换时才消耗电力。这种设计不仅显著减少了能耗,也使得CMOS技术特别适用于电池驱动的设备如移动电话和便携式计算机等。由于其高效的功率管理和电压适应性,CMOS电路
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[常见问题解答]揭秘电路设计:上拉电阻与下拉电阻的关键作用[ 2024-04-26 10:50 ]
电阻在电路设计中起着重要的电流限制作用,特别是上拉电阻和下拉电阻。这些电阻广泛应用于系统中,通常被统称为“拉电阻”。它们的核心功能是将状态不明的信号线通过电阻拉至高电平(上拉)或低电平(下拉),不同的应用环境对阻值的要求各不相同。下拉电阻和上拉电阻在电路中有多种用途。首先,它们可以固定开关管关闭时的电路节点电平。例如,当TTL电路驱动CMOS电路时,如果TTL输出的高电平低于CMOS电路要求的最低高电平,通常需要在TTL输出端加上拉电阻以提升高电平电压。此外,OC门电路也必须加装上拉电阻,以
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[常见问题解答]触摸开关原理解析和电路设计介绍[ 2022-12-16 15:46 ]
这是一个用4013组成的触摸开关电路,只要用手触摸一次开关即可接通,再触摸一次开关断开。电路原理图见下图所示。由于CMOS电路的输入端均为场效应管结构,而场效应管是一种电压控制元件,它有极高的输入阻抗,约几十兆欧。它的输入端几乎不消耗电流,因此只要用手触摸,人体产生的微弱感应电压就足可以使电路翻转。在本电路中,IC1A与R1、C1组成单稳态触发器,用来执行延时和消除触摸时的干扰和抖动。电路输入端第3脚所加的二极管VD1为输入端保护二极管,用来泄放积累的电荷和过高的反向电压。IC1B接成双稳态触发器形式,用来控制继电
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[常见问题解答]cmos电路中esd保护结构原理及应用[ 2022-11-29 15:21 ]
ESD(静电放电)是CMOS电路中最为严重的失效机理之一,严重的会造成电路自我烧毁。论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性,研究了在CMOS电路中ESD保护结构的设计原理,分析了该结构对版图的相关要求,重点讨论了在I/O电路中ESD保护结构的设计要求。1 引言静电放电会给电子器件带来破坏性的后果,它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展,CMOS电路的特征尺寸不断缩小,管子的栅氧厚度越来越薄,芯片的面积规模越来越大,MOS管能承受的电流和电压也越来越小,而外围的使用环境并未改变,因此要进一步优
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[常见问题解答]电源分布网络分解介绍 | 壹芯微[ 2022-08-30 15:44 ]
上一篇文章《电源分布网络介绍》里已经大概介绍了一下,由于CMOS电路的电流会随着时间变化而变化,而电源分布网络又对不同频率的电流信号表现出不同的阻抗,这些变化的电流和变化的阻抗最终形成了电源噪声。所以这一节我们就详细分解一下电源分布网络,看看电源分布网络都有哪些部分。通常情况下,一个系统级的电源分布网络主要包含四个部分: 电压调节器(也就是我们通常说的电源变换电路),PCB,封装以及硅片,如下图所示:每次当芯片上的电路有翻转动作,就会产生一个瞬变的动态电流需求,而外部的供电系统就通过这个电源分布网络来给芯片上的电路
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[常见问题解答]74HC164的原理及作用解析|壹芯微[ 2022-04-23 16:18 ]
74HC164的原理及作用解析|壹芯微 74HC164是高速硅门CMOS电路,管脚与低功耗肖特基TTL(LSTTL)系列兼容。74hc164是8位的串入并出、边沿触发的移位寄存器,串入数据由DSA、DSB输入,在每个时钟CP的上升沿数据向右移一位,数据由DSA和...
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[常见问题解答]CMOS集成电路低功耗的设计方法介绍[ 2021-12-22 11:33 ]
CMOS集成电路低功耗的设计方法介绍目前,随着一些便携式电子系统,如笔记本电脑、PDA、手机等的广泛应用,集成电路的功耗也被提到与面积和速度同等重要的位置。如果仍使用传统的技术,就可能负担相当重量的电池,或者电池的使用时间相当短;而随着集成电路集成度的提高,在设计时若不考虑功耗问题,可能会使电路某些部分因功耗过大引起温度过高,导致系统工作不稳定或失效;功耗过大也会给封装带来很大困难,因此本文分别对CMOS集成电路的功耗来源和低功耗的设计方法及设计工具等进行了介绍。1.CMOS电路功耗的来源CMOS电路中有两种主要的
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[常见问题解答]CMOS集成电路低功耗的设计方法介绍[ 2021-12-01 16:42 ]
CMOS集成电路低功耗的设计方法介绍目前,随着一些便携式电子系统,如笔记本电脑、PDA、手机等的广泛应用,集成电路的功耗也被提到与面积和速度同等重要的位置。如果仍使用传统的技术,就可能负担相当重量的电池,或者电池的使用时间相当短;而随着集成电路集成度的提高,在设计时若不考虑功耗问题,可能会使电路某些部分因功耗过大引起温度过高,导致系统工作不稳定或失效;功耗过大也会给封装带来很大困难,因此本文分别对CMOS集成电路的功耗来源和低功耗的设计方法及设计工具等进行了介绍。1.CMOS电路功耗的来源CMOS电路中有两种主要的
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[常见问题解答]详解MOS管N沟道与P沟道两种类型 - 壹芯微[ 2021-08-16 13:35 ]
详解MOS管N沟道与P沟道两种类型 - 壹芯微了解MOS/CMOS集成电路MOS集成电路特点:制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单,集成度高、抗干扰能力强,特别适合于大规模集成电路。MOS集成电路包括:NMOS管组成的NMOS电路、PMOS管组成的PMOS电路及由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路,即CMOS电路。PMOS门电路与NMOS电路的原理完全相同,只是电源极性相反而已。数字电路中MOS集成电路所使用的MOS管均为增强型管子,负载常用MOS管作为有源负载,这样不仅节省了硅
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[常见问题解答]CMOS电路的作用与原理图解 - 壹芯微[ 2021-08-16 11:51 ]
CMOS电路的作用与原理图解 - 壹芯微静态功耗低,逻辑摆幅大,抗干扰能力强,可在较广泛的电源电压范围内工作,速度快,在模拟电路中应用,与NMOS电路相比,集成度稍低,有“自锁效应”,影响电路正常工作。1. CMOS电路作用(COMS电路原理)2. CMOS电路图(CMOS电路图)3. CMOS电路原理CMOS电路原理是由于两管栅极工作电压极性相反,故将两管栅极相连作为输入端,两个漏极相连作为输出端,如图1(a)所示,则两管正好互为负载,处于互补工作状态。(COMS电路原理)当输入低电平(V
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[常见问题解答]CMOS电路故障问题解决的方法 - 壹芯微[ 2021-08-16 11:14 ]
CMOS电路故障问题解决的方法 - 壹芯微对于CMOS一词,很多人都有所耳闻,因为实际应用中,CMOS占据占据了很高的地位,本文中,小编主要讲解CMOS掉电电路故障以及一些CMOS电路故障的解决方法。一、CMOS掉电时的注意事项(1) 在换主机板电池的时候一定要挑选质量好点的电池,因为经常有那些因为所换电池质量不佳所造成的,几个月后电池又没电了的情况。如果所换电池质量较好一点,使用时间不长,就出现CMOS掉电,大概率是主机板上的电路有问题了。(2)更换电池的时侯注意检查原来的电池是否有漏液的情况,如有漏液必须将主板
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[常见问题解答]CMOS知识普及-分析CMOS电路中的阱[ 2020-11-10 17:01 ]
CMOS知识普及-分析CMOS电路中的阱CMOS电路中的阱在CMOS电路的工艺结构中,应用在衬底上形成反型的阱是一大特点。已有的多种CMOS电路阱的类别,有p阱、n阱、双阱及倒转阱等(图4-3-3)。CMOS电路中的阱-p阱在a型衬底上,以离子注入掺杂使阱区域有足够的浓度,以补偿衬底上的n型掺杂并形成一个p阱区。n型起始材料的掺杂浓度也必须保证能使在其上制备的p沟器件特性符合要求(一般而言,其浓度约3X1014~1X1015 /cm3)。p阱的掺杂浓度也必须高于n型衬底浓度5~10倍。掺杂过浓也将损害n沟器件的性能
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[常见问题解答]元器件知识-元器件选型时的必知基础知识[ 2020-09-16 16:05 ]
元器件知识-元器件选型时的必知基础知识元器件是电子元件和小型的机器、仪器的组成部分,其本身常由若干零件构成,可以在同类产品中通用;常指电器、无线电、仪表等工业的某些零件,是电容、晶体管、游丝、发条等电子器件的总称。器件选型时,这几个通识的基础知识必须掌握,器件选型的思考的深度和广度,非常能考验设计者的功力,同时最后也落实到产品的质量水平上。(一)综合考虑(1)易产生应用可靠性问题的器件1、对外界应力敏感的器件CMOS电路:对静电、闩锁、浪涌敏感小信号放大器:对过电压、噪声、干扰敏感塑料封装器件:对湿气、热冲击、温度
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[常见问题解答]n-mosfet图文知识概述-如何判断n-mosfet及P-mosfet[ 2020-09-15 11:05 ]
n-mosfet图文知识概述-如何判断n-mosfet及P-mosfet什么是n-mosfetn-mosfet英文全称为N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思为N型金属-氧化物-半导体,而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。 MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路,由PMOS管组成的电路就是PMOS集成电路,由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路,即CMOS电路。n-mosfet结
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[常见问题解答]浅析N沟道MOS管与P沟道MOS管在电路中的详细应用[ 2020-04-08 10:25 ]
浅析N沟道MOS管与P沟道MOS管在电路中的详细应用MOS管集成电路特点:该文主要是N沟道MOS管和P沟道MOS管在电路中的详细应用讲制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单,集成度高、抗干扰能力强,特别适合于大规模集成电路。MOS管集成电路包括:N沟道MOS管组成的N沟道MOS管电路、P沟道MOS管组成的P沟道MOS管电路及由N沟道MOS管和P沟道MOS管两种管子组成的互补MOS电路,即CMOS电路。P沟道MOS管门电路与N沟道MOS管电路的原理完全相同,只是电源极性相反而已。数字电路中MOS
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[常见问题解答]nmos结构示意图及工作原理(耗尽型和增强型)-nmos基础知识[ 2019-12-25 13:48 ]
nmos结构示意图与工作原理详解(nmos耗尽型与增强型)-nmos基础知识nmos概述nmos结构示意图是本文的重点,NMOS英文全称为N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思为N型金属-氧化物-半导体,而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。 MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路,由PMOS管组成的电路就是PMOS集成电路,由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路,即CMOS电路。
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[常见问题解答]CMOS-CMOS集成电路闩锁效应措施解析[ 2019-09-17 11:17 ]
cmos应用在CMOS应用中能同时将p沟道mos管与n沟道MOSFET制作在同一片芯片上.需要额外的掺杂及扩散步骤,以便在衬底中成“阱”或“盆(tub)”.阱中的掺杂种类与周围衬底不同.阱的典型种类有p阱、n阱以及双阱.阱技术的详细内容将于第14章中讨论.图6. 31为使用p阱技术制作的CMOS反相器的剖面图.在此图中,p沟道与n沟道MoSFET分别制作于n型硅衬底以及p阱之中.cmos电路CMOS电路的阱结构最主要的问题在于闩锁现象,闩锁是由阱结构中寄生的pn&md
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