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[常见问题解答]互补场效应晶体管的工作原理与关键应用解析[ 2025-02-10 11:46 ]

互补场效应晶体管（Complementary Field-Effect Transistor，CFET）作为半导体领域的新兴技术，正在逐步取代传统晶体管架构，推动微电子技术的发展。一、CFET的工作原理CFET基于传统场效应晶体管（FET）的基本结构，通过垂直堆叠NMOS和PMOS晶体管，形成互补结构。其核心原理在于利用不同极性的载流子（电子和空穴）在沟道中移动，通过电场控制栅极电压，调节沟道的导通和关闭状态，从而实现电流的开关控制。1. 垂直堆叠结构：传统的CMOS工艺中，NMOS与PMOS晶体管并排排列，而CF

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[常见问题解答]基于ADC0809的数字电压表设计介绍|壹芯微[ 2022-03-22 11:27 ]

基于ADC0809的数字电压表设计介绍|壹芯微 ADC0809是美国国家半导体公司生产的CMOS工艺8通道，8位逐次逼近式A/D模数转换器。其内部有一个8通道多路开关，它可以根据地址码锁存译码后的信号，只选通8路模拟输入信号中的...

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[常见问题解答]基于相变存储器的驱动电路设计介绍[ 2022-01-20 15:24 ]

基于相变存储器的驱动电路设计介绍本文介绍设计了一种依靠电流驱动的驱动电路，整体电路由带隙基准电压源电路、偏置电流产生电路、电流镜电路及控制电路组成。该结构用于16K以及1Mb容量的相变存储器芯片的设计，并采用0.18m标准CMOS工艺实现。该驱动电路通过Hpice仿真，表明带隙基准电压、偏置电流均具有较高的精度，取得了良好的仿真结果。1.相变存储器相变存储器(PC2RAM)是一种新型半导体存储器，在研发下一代高性能不挥发存储技术的激烈竞争中，PC2RAM在读写速度、读写次数、数据保持时间、单元面积、功耗等方面的诸多

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[常见问题解答]基于轨对轨CMOS运算放大器的设计介绍[ 2021-12-21 14:11 ]

基于轨对轨CMOS运算放大器的设计介绍随着SOC(SystemonChip)的迅速发展，使用深亚微米标准CMOS工艺的模拟集成电路的设计，已成为当前芯片设计的一种趋势。CMOS运算放大器是模拟电路中重要基本单元，该单元不但要具有传统运放的基本特性，如高增益、低失调等;而且随着低电源电压的要求，还必须具备接近于供电电源电压和地之间(轨对轨)的输入共模范围和输出摆幅。因此文中基于0.6mCMOS工艺，设计了一种轨对轨运算放大器。该运算放大器采用了3.3V单电源供电，其输入共模范围和输出信号摆幅接近于地和电源电压。1.轨

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[常见问题解答]场效应MOS管和最简单的CMOS逻辑门电路解析-壹芯微[ 2021-08-04 11:46 ]

场效应MOS管和最简单的CMOS逻辑门电路解析-壹芯微现代单片机主要是采用CMOS工艺制成的。以N型管为例，2端为控制端，称为[栅极]；3端通常接地，称为[源极]；源极电压记作Vss，1端接正电压，称为[漏极]，漏极电压记作VDD。要使1端与3端导通，栅极2上要加高电平。1、MOS管MOS管又分为两种类型：N型和P型。如下图所示：以N型管为例，2端为控制端，称为[栅极]；3端通常接地，称为[源极]；源极电压记作Vss，1端接正电压，称为[漏极]，漏极电压记作VDD。要使1端与3端导通，栅极2上要加高电平。对P型管，

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[行业资讯]XC6206-1.8,XC6206-2.5低压差线性稳压电路引脚及参数中文资料(图) - 壹芯微[ 2021-07-24 09:40 ]

XC6206-1.8,XC6206-2.5低压差线性稳压电路引脚及参数中文资料(图) - 壹芯微XC6206-1.8,XC6206-2.5（200mA低压差线性稳压调节器）品牌：壹芯微|类型：稳压电路|封装：SOT-23/SOT-89|多种封装尺寸不同参数一致免费样品欢迎咨询概述：XC6206系列是一款高精度,低功耗,3引脚LDO高电压调整器芯片,并采用 CMOS工艺和激光微调技术. 在输出电流较大的情况下,输入输出压差也能很小。XC6206系列芯片内部包括一个电流限制电路,一个驱动三极管,一个高精度参考电

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[行业资讯]HT7130,HT7133,HT7150低压差线性稳压电路引脚及参数中文资料(图) - 壹芯微[ 2021-07-24 09:20 ]

HT7130,HT7133,HT7150低压差线性稳压电路引脚及参数中文资料(图) - 壹芯微HT7130,HT7133,HT7150（30A线性稳压调节器）品牌：壹芯微|类型：稳压电路|封装：SOT-89/TO-92|多种封装尺寸不同参数一致免费样品欢迎咨询一般特征：HT71XX系列是三端低功耗的线性调节稳压器（也叫LDO），输入电压范围可达到24V。有输出电压3.0V、3.3V、 3.6V共3款可选。 CMOS工艺确保低dropout，低静态电流。· 低功耗 · 低压差

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[常见问题解答]MOS管工艺-CMOS工艺图解[ 2020-11-12 17:15 ]

MOS管工艺-CMOS工艺图解CMOS工艺详细解析CMOS工艺与NMOS(或PMOS)工艺不同之处是要在同一个衬底上同时制造出n-沟和p-沟晶体管。在NMOS工艺中看到，衬底的掺杂类型和掺杂水平是按照在它上面要制造的n-沟器件的要求来选择的。很明显,在CMOS工艺中,原材料或者是满足n-沟器件的要求，或者是满足p-沟器件的要求，但不能同时满足两者的要求。为了适应不能在原材料上制造的那种类型器件的需要，必须形成与原材料掺杂类型相反的区域，如图10.17中的二个剖面所示。这些掺杂类型相反的区域一般称为“阱&

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[常见问题解答]MOS管以及简单CMOS逻辑门电路原理图解析[ 2020-10-24 16:56 ]

MOS管以及简单CMOS逻辑门电路原理图解析A端为高电平时，P型MOS管截止，N型MOS管导通，输出端C的电平与Vss保持一致，输出低电平；①、A、B输入均为低电平时，1、2管导通，3、4管截止，C端电压与VDD一致，输出高电平。了解MOS管及简单CMOS逻辑门电路原理图解析！现代单片机主要是采用CMOS工艺制成的。1、MOS管又分为两种类型：N型MOS管和P型MOS管。如下图所示：N型MOS管和P型MOS管区别图以N型MOS管为例，2端为控制端，称为“栅极”；3端通常接地，称为&ldquo

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[常见问题解答]可控硅结构静电防护器件降低触发电压提高开启速度的方法[ 2019-12-10 12:02 ]

可控硅结构静电防护器件降低触发电压提高开启速度的方法可控硅SCR(Silicon Controlled Rectifier)结构静电防护器件由于其自身的正反馈机制，具有单位面积泄放电流高、导通电阻小、鲁棒性强、防护级别高的优点，但同时它还引入了触发电压高响应速度慢、维持电压低易闩锁的缺点。本文介绍可控硅结构静电防护器件降低触发电压提高开启速度的方法。可控硅器件能够以较小的版图面积获得较高ESD防护等级，因此，此类器件已在集成电路片上静电防护中占有一席之地。但是在深亚微米CMOS工艺中SCR器件仍然具有高的开启电压的

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