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[技术文章]AO3415A 典型应用电路[ 2024-05-13 15:30 ]
AO3415A是一款场效应管,常见于各种电子设备中,其应用场景和参数特点如下:一、应用场景:1. 电源管理: AO3415A常用于电源管理电路中,例如开关电源、DC-DC转换器等。其低导通电阻和高耐压特性使其成为电源管理领域的理想选择。2. 电池管理: 在移动设备和便携式电子产品中,AO3415A常用于电池管理电路,例如电池充放电保护、电池管理单元等。其低功耗和高效率特性有助于延长电池寿命并提高性能。3. 电机驱动: AO3415A还可用于电机驱动电路中,例如步进电机驱动、直流电机驱动等。其快速开关特性和低开启电压
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[技术文章]AO3415 典型应用电路[ 2024-04-27 14:53 ]
AO3415 是一种高效的P沟道MOSFET,其设计精良使其在众多电子设备中担任重要角色。以下是关于 AO3415 的应用场景和参数特点的进一步阐述:一、应用场景1. 移动设备:在智能手机和平板等移动设备中,AO3415 被广泛用于电源管理系统。其优异的导电性能有助于延长设备的电池续航能力,同时确保设备在低功耗模式下的高效运行。2. 便携式充电器: AO3415 在充电器设计中发挥关键作用,控制电流流向以优化充电效率和安全性,保障用户设备的稳定充电。3. LED照明系统: AO3415 能够有效控制LED灯具的电流
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[行业资讯]AO3415场效应管参数,AO3415参数中文资料,AO3415替代[ 2022-05-17 10:25 ]
AO3415场效应管参数,AO3415参数中文资料,AO3415替代 场效应管AO3415参数,丝印AFCP,AO3415封装引脚图,AO3415中文资料PDF,MOS管厂家 产品名称:场效应MOS管 产品型号:AO3415 极性:P沟道 漏源电压:-20V 连续漏极电流:-5A 封装:SOT-23等...
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[行业资讯]AO3415场效应管参数|AO3415(SOT23)规格书资料|壹芯微[ 2022-02-18 16:43 ]
AO3415场效应管参数|AO3415(SOT23)规格书资料|壹芯微 产品类型 场效应管 产品型号 AO3415 极性 PNP 漏源电压 -20V 漏极电流 -4.0A 封装 SOT-23
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[行业资讯]AO3415,AO3415场效应管参数,引脚图,AO3415规格书中文资料 - 壹芯微[ 2022-02-11 14:00 ]
AO3415,AO3415场效应管参数,引脚图,AO3415规格书中文资料 - 壹芯微产品型号:AO3415描述:MOSFET,P-CH,20V,4A,SOT23-3L详细描述:表面贴装型,P通道,20V,4A(Ta),1.5W(Ta),SOT-23-3制造商:Shenzhen Yixinwei Technology Co.,Ltd供应商:深圳市壹芯微科技有限公司规格书:AO3415规格书产品属性类型描述类别分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 单个制造商Alpha & Omega Semic
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[行业资讯]AO3415中文资料(贴片MOS场效应管)参数封装规格书pdf 现货厂家[ 2021-08-23 14:11 ]
型号:AO3415;极性:P沟道;ID/VDSS:-4A/-20V;封装:SOT-23 AO3415 使用先进的沟槽技术提供出色的Rds(ON)、低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压操作。该设备适合用作负载开关应用。
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[行业资讯]「AO3415」MOS管作为开关控制时为何用PMOS做上管NMOS做下管-壹芯微[ 2021-07-26 09:10 ]
「AO3415」MOS管作为开关控制时为何用PMOS做上管NMOS做下管-壹芯微了解MOS管的开通/关断原理你就会发现,使用PMOS做上管、NMOS做下管比较方便。使用PMOS做下管、NMOS 做上管的电路设计复杂,一般情况下意义不大,所以很少采用。下面先了解MOS管的开通 / 关断原理,请看下图:NMOS管的主回路电流方向为D→S,导通条件为VGS有一定的压差,一般为5~10V(G电位比S电位高);而PMOS管的主回路电流方向为S→D,导通条件为VGS有一定的压差,一般为-5~-10V(S电位
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[常见问题解答]AO3415小信号场效应晶体管 参数规格 中文资料[ 2021-06-03 15:08 ]
AO3415小信号场效应晶体管 参数规格 中文资料小信号场效应晶体管,4A I(D),20V,1 元件,P 沟道,硅,金属氧化物半导体 FET,绿色封装-3(详细参数)参数名称参数值是否Rohs认证符合生命周期Not Recommended针数3Reach Compliance CodecompliantECCN代码EAR99风险等级8配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)4 A最大漏极电流 (ID)4 A最大漏源导通电阻0.054 ΩFE
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[常见问题解答]MOS管AO3415参数-壹芯微二极管[ 2019-08-05 12:18 ]
壹芯微作为国内专业生产二三极管的生产厂家,生产技术已经是非常的成熟,进口的测试仪器,可以很好的帮组到客户朋友稳定好品质,也有专业的工程师在把控稳定质量,协助客户朋友解决一直客户自身解决不了的问题,每天会分享一些知识或者客户的一些问题,今天我们分享的是,MOS管AO3415参数,请看下方MOS管AO3415参数PD最大耗散功率:1WID最大漏源电流:-4AV(BR)DSS漏源击穿电压:-20VRDS(ON)Ω内阻:41MΩVRDS(ON)ld通态电流:-4AVRDS(ON)栅极电压:-4.5VVGS(th)V开启电压
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