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[行业资讯]「100N03,120N03,80N07」N沟道MOS管和P沟道MOS管全面解析(图)-壹芯微[ 2021-07-27 09:30 ]
「100N03,120N03,80N07」N沟道MOS管和P沟道MOS管全面解析(图)-壹芯微型号:100N03(100A,30V) 120N03(120A,30V) 80N07(80A,70V)品牌:壹芯微|类型:场效应管MOSFET|封装:TO-220/TO252|多种封装 尺寸不同 参数一致 免费样品 欢迎咨询MOS/CMOS集成电路MOS集成电路特点:制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单,集成度高、抗干扰能力强,特别适合于大规模集成电路。MOS集成电路包括:NMOS管组成的NMOS电
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[行业资讯]80N07 TO-220/TO-252参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-07-14 09:03 ]
80N07 TO-220/TO-252参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微80N07(80A,70V N沟道场效应晶体管)品牌:壹芯微|类型:场效应管|封装:TO-220/TO-252|参数达标 质量稳定 免费样品 欢迎咨询80N07场效应管主要参数参数\型号80N07极性NID(A)80VDSS(V)70RDS(ON):Max(Ω)0.0085RDS(ON):VGS(Ω)10VGS(th):(V)1~32~4Gfs(min):(S)60Gfs(min):Vgs(V)20Gfs(min):Io(A)40封
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[常见问题解答]〔壹芯〕生产80N07场效应管80A-70V,参数达标,质量稳定[ 2021-06-08 12:17 ]
〔壹芯〕生产80N07场效应管80A-70V,参数达标,质量稳定场效应管(MOSFETS)型号:80N03       极性:NIDA(A):80       VDSS(V):70RDS(on) MAX(Ω):0.0085 VGS(V):10 VGS(th) (V):2~4Gfs(min) (S):60 Vgs(V):20 Io(A):40封装:TO-220 TO-252VDMOSFET的知识科普垂直导电的双扩散MOS结构称为VDMOSFET,其典型结构如图1.5所示。沟道部分是由同一扩散窗利用两次扩散形
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