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[行业资讯]KBJ1506桥堆参数，插件KBJ1506整流桥堆资料,KBJ1506G替代[ 2024-03-11 17:49 ]

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[行业资讯]KBJ1006桥堆参数，插件KBJ1006整流桥堆资料,KBJ1006G替代[ 2024-03-07 16:45 ]

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[行业资讯]KBJ606桥堆参数，插件KBJ606整流桥堆资料,KBJ606G替代[ 2024-03-05 17:57 ]

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[行业资讯]KBJ406桥堆参数，插件KBJ406整流桥堆资料,KBJ406G替代[ 2024-01-30 17:45 ]

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[行业资讯]GBU604桥堆参数，插件GBU604整流桥堆资料,GBU6G替代[ 2023-12-04 19:09 ]

GBU604插件整流桥堆引脚图与规格书，GBU604中文PDF|壹芯微桥堆壹芯微科技专业生产插件GBU604，提供GBU604插件桥堆规格书参数。GBU604插件桥堆的作用类型：整流桥反向重复峰值电压（VRRM）：400 V最大平均整流电流（IO）：6 A

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[行业资讯]S6G二极管参数，6A400V整流二极管资料[ 2023-11-07 16:18 ]

S6G贴片二极管引脚图与规格书，S6G中文PDF|壹芯微二极管壹芯微科技专业生产贴片S6G，提供S6G整流二极管规格书参数。S6G整流二极管的作用S6G是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有正极和负极两个端子。二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。S6G贴片整流二极管规格书,点击下载查看：S6A-S6M SMC UYIXIN.pdfS6G贴片整流二极管的引脚规格参数如下：S6G贴片整流二极管的DO-214AB/SMC封装尺寸如下：S6G贴片

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[行业资讯]KBP406参数，KBP406G桥堆中文规格书，KBP406整流桥堆技术资料[ 2022-12-07 17:54 ]

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[行业资讯]KBP306参数，KBP306G桥堆中文规格书，KBP306整流桥堆技术资料[ 2022-12-06 16:11 ]

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[行业资讯]MMBT3906三极管参数,MMBT3906参数规格书选型代换[ 2021-10-13 17:20 ]

MMBT3906三极管参数,MMBT3906参数规格书选型代换MMBT3906三极管,丝印2A,SOT-23封装引脚图：壹芯微供应MMBT3904系列的三极管型号如下（尾缀不同，参数一致，主要区分材质、封装与包装方式）MMBT3906L-AE3-R MMBT3906G-AE3-R 封装形式SOT-23MMBT3906L-AL3-R MMBT3906G-AL3-R 封装形式SOT-323MMBT3906L-AN3-R MMBT3906G-AN3-R 封装形式SOT-523MMBT3906.pdf 规格书查看

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[行业资讯]IRF1404 TO-220参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-07-15 09:12 ]

IRF1404 TO-220参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微IRF1404（180A,40V N沟道场效应晶体管）品牌：壹芯微|类型：场效应管|封装：TO-220|参数达标质量稳定免费样品欢迎咨询IRF1404场效应管参数参数\型号IRF1404极性NID(A)180VDSS(V)40RDS(ON):Max(Ω)0.0037RDS(ON):VGS(Ω)10VGS(th):(V)2~4Gfs(min):(S)106Gfs(min):Vgs(V)25Gfs(min):Io(A)60封装TO-220概

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[行业资讯]5N60 TO-252/TO-220参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-07-10 09:29 ]

5N60 TO-252/TO-220参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微5N60（N沟道场效应MOS管）品牌：壹芯微|类型：场效应管|封装：TO-252/TO-220|参数达标质量稳定免费样品欢迎咨询5N60场效应管主要参数参数\型号5N60极性NID(A)5VDSS(V)600RDS(ON):Max(Ω)2.4RDS(ON):VGS(Ω)10VGS(th):(V)2~4Gfs(min):(S)3.6Gfs(min):Vgs(V)40Gfs(min):Io(A)2.0封装TO-252/TO-220壹

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[行业资讯]4N65 TO-252/TO-220参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-07-10 09:23 ]

4N65 TO-252/TO-220参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微4N65（N沟道场效应MOS管）品牌：壹芯微|类型：场效应管|封装：TO-252/TO-220|参数达标质量稳定免费样品欢迎咨询4N65场效应管主要参数参数\型号4N65极性NID(A)4VDSS(V)650RDS(ON):Max(Ω)2.6RDS(ON):VGS(Ω)10VGS(th):(V)2~4Gfs(min):(S)3.6Gfs(min):Vgs(V)40Gfs(min):Io(A)2.0封装TO-252/TO-2204

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[行业资讯]4N60 TO252/TO220参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-07-10 09:17 ]

4N60 TO252/TO220参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微4N60（N沟道场效应MOS管）品牌：壹芯微|类型：场效应管|封装：TO-252/TO-220|参数达标质量稳定免费样品欢迎咨询4N60场效应管主要参数参数\型号4N60极性NID(A)4VDSS(V)600RDS(ON):Max(Ω)2.5RDS(ON):VGS(Ω)10VGS(th):(V)2~4Gfs(min):(S)3.6Gfs(min):Vgs(V)40Gfs(min):Io(A)2.0封装TO-252/TO-2204N6

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