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[行业资讯]4N60场效应管参数|4N60(TO252,TO220)规格书资料|壹芯微[ 2022-02-21 14:22 ]

4N60场效应管参数|4N60(TO252,TO220)规格书资料|壹芯微产品类型场效应管产品型号 4N60 极性 NPN 漏源电压 600V 漏极电流 4.0A 封装 TO-220,TO-220F,TO-220F1,TO-220F2,TO-220F3,TO-251,TO-251S,TO-252,TO-252D,TO-262,TO-263,DFN5060-8

http://www.szyxwkj.com/Article/4n60cxygcs_1.html

[行业资讯]JCS4N60场效应管参数代换规格书资料下载 - MOS管厂家 - 壹芯微[ 2021-11-23 15:06 ]

JCS4N60场效应管参数代换规格书资料下载 - MOS管厂家 - 壹芯微JCS4N60参数代换,JCS4N60规格书(数据手册),JCS4N60封装引脚图壹芯微专业供应JCS4N60RB系列场效应管，可替代昂贵的进口品牌对应型号。JCS4N60RB.pdf 数据手册(规格书)下载JCS4N60RB场效应管主要参数如下:壹芯微专业制造各类二三极管,MOS管,主营：肖特基二极管,整流二极管,TVS二极管,快恢复二极管,超快恢复二极管,高效整流二极管,晶体三极管,MOS场效应管,整流桥堆,可控硅,三端稳压

http://www.szyxwkj.com/Article/jcs4n60cxy_1.html

[行业资讯]FCD4N60,FCD4N60场效应管参数_中文资料_规格书[ 2021-11-18 17:14 ]

FCD4N60,FCD4N60场效应管参数_中文资料_规格书FCD4N60参数及代换,FCD4N60中文资料,现货采购,MOS管专业生产厂商FCD4N60场效应管封装引脚图壹芯微专业供应FCD4N60系列场效应管，可替代昂贵的进口品牌对应型号。FCD4N60.pdf 数据手册(规格书)下载FCD4N60场效应管主要参数如下:参数符号值单位漏极-源极电压VDSS600V栅极-源极电压VGSS±30V单脉冲雪崩电流IAR3.9A栅极-源极电压ID3.9A漏极电流-脉冲IDM11.7A单脉冲雪崩能

http://www.szyxwkj.com/Article/fcd4n60fcd_1.html

[行业资讯]WFD4N60场效应管参数,WFD4N60规格书,MOS管厂家直销[ 2021-11-10 09:30 ]

WFD4N60场效应管参数,WFD4N60规格书,MOS管厂家直销WFD4N60场效应管参数及代换 (600V,4A) WFD4N60引脚图 WFD4N60中文资料规格书(PDF)WFD4N60规格书:查看下载

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[行业资讯]CJU04N60场效应管参数代换,CJU04N60参数规格书下载[ 2021-10-11 14:40 ]

CJU04N60场效应管参数代换,CJU04N60参数规格书下载CJU04N60系列场效应管TO-252封装引脚图：CJU04N60.pdf 规格书查看下载CJU04N60系列绝对最大额定参数如下：（TC=25°C，除非另有说明）极性：NPNDrain-SourceVoltage漏源电压,VDSS：600VGate-SourceVoltage栅源电压,VGSS：±30VDrainCurrentContinuous漏极电流连续,ID：4.0AOperatingAndStorageTem

http://www.szyxwkj.com/Article/cju04n60cx_1.html

[常见问题解答]4N60场效应MOS管替代FQP4N60型号参数现货供应厂家[ 2021-08-24 15:01 ]

在国产化的发展进程中，我们更推荐使用优质的壹芯微所生产的4N60型号参数来替代FQP4N60型号，壹芯微4N60场效应管能够完美匹配原型号FQP4N60场效应管参数，壹芯微这款功率MOS管4N60为N沟道增强型高压功率MOS场效应管，驱动电路应用4N60广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动；在使用方面是匹配型号FQP4N60的国外场效应管。

http://www.szyxwkj.com/Article/4n60cxymos_1.html

[行业资讯]4N60场效应管参数封装引脚图规格书中文资料PDF 现货厂家[ 2021-08-24 12:11 ]

4N60场效应管参数封装引脚图规格书中文资料PDF 现货厂家，4N60场效应管参数，4N60规格书PDF，4N60封装，2N60报价，MOS管厂家，免费样品，选型帮助，技术支持。型号：4N60；极性：N沟道；ID/VDSS：4A/600V；封装：TO-252/TO-220，600V,N沟道增强型场效应晶体管(600V,N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor)

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