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[行业资讯]2N60场效应管参数|2N60(TO252,TO220)规格书资料|壹芯微[ 2022-02-19 17:16 ]
2N60场效应管参数|2N60(TO252,TO220)规格书资料|壹芯微 产品类型 场效应管 产品型号 2N60 极性 NPN 漏源电压 600V 漏极电流 2.0A 封装 TO-220F,TO-220F1,TO-220F2,TO-220F3,TO-251,TO-251L,TO-251S,TO-251S2,TO-251S4,TO-252,TO-252D,TO-262,TO-126,TO-126S,DFN5060-8
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[行业资讯]2N60,2N60场效应管参数,引脚图,2N60规格书中文资料 - 壹芯微[ 2022-02-14 12:13 ]
2N60,2N60场效应管参数,引脚图,2N60规格书中文资料 - 壹芯微产品型号:2N60描述:MOSFET,N-CH,600V,1.6A,TO220F详细描述:通孔,N通道,600V,1.6A(Tc),28W(Tc),TO-220F-3制造商:Shenzhen Yixinwei Technology Co.,Ltd供应商:深圳市壹芯微科技有限公司规格书:2N60规格书2N60引脚图2N60电路符号2N60产品属性通道类型N最大连续漏极电流2 A最大漏源电压600 V封装类型TO-220F安装类型通孔引脚数目3最
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[行业资讯]JCS2N60场效应管参数,JCS2N60规格书下载,中文资料[ 2021-11-23 11:20 ]
JCS2N60场效应管参数,JCS2N60规格书下载,中文资料JCS2N60参数代换,JCS2N60规格书(数据手册),JCS2N60封装引脚图壹芯微专业供应JCS2N60系列场效应管,可替代昂贵的进口品牌对应型号。JCS2N60.pdf 数据手册(规格书)下载JCS2N60场效应管主要参数如下:参数符号值单位漏极-源极电压VDSS600V栅极-源极电压VGSS±30V单脉冲雪崩电流IAR2.0A栅极-源极电压ID2.0A漏极电流-脉冲IDM6.0A单脉冲雪崩能量EAS120mJ重复雪崩能量
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[行业资讯]FTD02N60,FTD02N60场效应管参数_中文资料_规格书[ 2021-11-19 14:20 ]
FTD02N60,FTD02N60场效应管参数_中文资料_规格书FTD02N60参数及代换,FTD02N60中文资料,现货采购,MOS管专业生产厂商FTD02N60场效应管封装引脚图壹芯微专业供应FTD02N60系列场效应管,可替代昂贵的进口品牌对应型号。FTD02N60.pdf 数据手册(规格书)下载FTD02N60场效应管主要参数如下:参数符号值单位漏极-源极电压VDSS600V栅极-源极电压VGSS±30V单脉冲雪崩电流IAR-A栅极-源极电压ID1.9A漏极电流-脉冲IDM-A单脉冲
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[行业资讯]HFD2N60,HFD2N60场效应管参数_中文资料_规格书[ 2021-11-19 14:06 ]
HFD2N60,HFD2N60场效应管参数_中文资料_规格书HFD2N60参数及代换,HFD2N60中文资料,现货采购,MOS管专业生产厂商HFD2N60场效应管封装引脚图壹芯微专业供应HFD2N60系列场效应管,可替代昂贵的进口品牌对应型号。HFD2N60.pdf 数据手册(规格书)下载HFD2N60场效应管主要参数如下:参数符号值单位漏极-源极电压VDSS600V栅极-源极电压VGSS±30V单脉冲雪崩电流IAR1.8A栅极-源极电压ID1.8A漏极电流-脉冲IDM7.2A单脉冲雪崩能量
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[行业资讯]2N60场效应管参数代换,2N60中文资料规格书[ 2021-10-11 11:56 ]
2N60场效应管参数代换,2N60中文资料规格书2N60系列场效应管TO-252封装引脚图:2N60.pdf 规格书查看下载2N60场效应管特性参数如下:* RDS(ON)<5Ω @ VGS=10V, ID=1A* 快速切换能力* 指定雪崩能量* 改进的dv/dt能力,高耐用性2N60场效应管绝对最大额定参数如下:(TC=25°C,除非另有说明)极性:NPNDrain-SourceVoltage漏源电压,VDSS:600VGate-SourceVoltage栅源电压,VGSS:±
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[行业资讯]2N60场效应管参数 封装引脚图报价中文资料规格书PDF 现货厂家[ 2021-08-24 10:36 ]
2N60?场效应管参数 封装引脚图报价中文资料规格书PDF 现货厂家,2N60场效应管参数,2N60中文资料PDF,2N60引脚图,2N60规格书,MOS管厂家,免费样品,选型帮助,技术支持。型号:2N60;极性:N沟道;ID/VDSS:2A/600V;封装:TO-252/TO-220,600V,N沟道增强型场效应晶体管(600V,N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor)
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