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[行业资讯]HFD2N60,HFD2N60场效应管参数_中文资料_规格书[ 2021-11-19 14:06 ]: HFD2N60,HFD2N60场效应管参数_中文资料_规格书HFD2N60参数及代换,HFD2N60中文资料,现货采购,MOS管专业生产厂商HFD2N60场效应管封装引脚图壹芯微专业供应HFD2N60系列场效应管，可替代昂贵的进口品牌对应型号。HFD2N60.pdf 数据手册(规格书)下载HFD2N60场效应管主要参数如下:参数符号值单位漏极-源极电压VDSS600V栅极-源极电压VGSS±30V单脉冲雪崩电流IAR1.8A栅极-源极电压ID1.8A漏极电流-脉冲IDM7.2A单脉冲雪崩能量; http://www.szyxwkj.com/Article/hfd2n60hfd_1.html

[行业资讯]2N60场效应管参数代换,2N60中文资料规格书[ 2021-10-11 11:56 ]: 2N60场效应管参数代换,2N60中文资料规格书2N60系列场效应管TO-252封装引脚图：2N60.pdf 规格书查看下载2N60场效应管特性参数如下：* RDS(ON)<5Ω @ VGS=10V, ID=1A* 快速切换能力* 指定雪崩能量* 改进的dv/dt能力，高耐用性2N60场效应管绝对最大额定参数如下：（TC=25°C，除非另有说明）极性：NPNDrain-SourceVoltage漏源电压,VDSS：600VGate-SourceVoltage栅源电压,VGSS：±; http://www.szyxwkj.com/Article/2n60cxygcs_1.html

[行业资讯]2N60场效应管参数封装引脚图报价中文资料规格书PDF 现货厂家[ 2021-08-24 10:36 ]: 2N60?场效应管参数封装引脚图报价中文资料规格书PDF 现货厂家,2N60场效应管参数，2N60中文资料PDF，2N60引脚图，2N60规格书，MOS管厂家，免费样品，选型帮助，技术支持。型号：2N60；极性：N沟道；ID/VDSS：2A/600V；封装：TO-252/TO-220,600V,N沟道增强型场效应晶体管(600V,N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor); http://www.szyxwkj.com/Article/2n60mos_1.html

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