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[常见问题解答]如何在电路设计中有效保障IGBT的长期可靠运行?[ 2025-04-12 11:13 ]
在现代功率电子电路设计中,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)因其出色的导通能力与开关特性,被广泛应用于变频器、电源模块、新能源汽车、电机驱动及工业控制等场景。然而,很多设计工程师都会面临一个关键问题:如何才能在复杂的工作环境和长期使用过程中,确保IGBT稳定可靠运行?一、优化开关参数设计,减少过电压与过电流IGBT最怕的不是工作,而是异常的电气冲击。特别是在高速开关过程中,过快的dv/dt或di/dt极易诱发尖峰电压和过冲电流,不仅影响IGBT寿命,严重时还可能击穿器件。实际设计中,常用的保护手段包括:- 合理配置栅极
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[常见问题解答]如何通过选型MOS管和IGBT优化逆变器的EMC表现?[ 2024-10-24 15:30 ]
电磁兼容性(EMC)优化在逆变器设计过程中非常重要。逆变器的主要开关元件MOS管(MOSFET)和IGBT的开关特性对运行时的EMC影响很大。选择正确的元件不仅可以提高设备的整体效率,还可以有效降低电磁干扰(EMI)和改善系统的电磁兼容性。本文对此进行了详细探讨。一、开关速度与EMC之间的权衡MOS管和IGBT的开关速度是EMC性能的关键因素之一。这一特性有助于提高逆变器的转换效率,但较高的开关速度往往会导致较高的电压变化率(dv/dt)和电流变化率(di/dt)。这些高变化率会导致更强的电磁辐射,从而影响正常运行
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[常见问题解答]探索电磁干扰(EMI)的影响:电路设计中的防护技术与工具[ 2024-06-03 10:06 ]
一、转换器设计对抗电磁干扰(EMI):在探讨如何通过集成功率 MOSFET 和控制器的转换器解决方案来抑制 EMI 时,我们注意到特定转换器设计可以有效超越传导 EMI 并为达到辐射限值预留充足空间。这些设计通常采取措施以增加抑制辐射和传导 EMI 的效率。二、电磁干扰(EMI)的挑战及其管理策略:DC/DC 转换器在操作中常因其快速开关的电压和电流特性而引发 EMI。尽管与转换器的不连续输入或输出电流相关的 EMI 相对易于管理,开关电压的 dv/dt 和电流的 di/dt 谐波成分及其相关的振铃则构成了更大的挑
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[常见问题解答]优化策略:提升基于变压器的 SiC MOSFET 隔离栅极驱动器效率[ 2024-05-24 10:15 ]
本文探讨了一种用于 3.3kV SiC MOSFET 的新型隔离栅极驱动器设计,采用变压器进行高效驱动。其中,两个 VHF 调制谐振反激式转换器工作在 20 MHz,用于生成 PWM 信号和提供栅极驱动电力。一、高压绝缘特性通过一种设计优化的 PCB 空心变压器提供高达 15 kV RMS 的高压绝缘特性。这种变压器的低耦合电容(5pF)确保即使在 SiC MOSFET 高 dv/dt 的条件下也具有出色的抗噪声性能。文中还将展示一系列关于 3.3kV SiC MOSFET 的实验结果,以证明本设计方案的有效性。二
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[常见问题解答]传导EMI的问题如何避免介绍[ 2023-05-30 12:02 ]
传导EMI问题如何避免介绍大多数传导 EMI 问题是由共模噪声引起的。 此外,大多数共模噪声问题是由电源中的寄生电容引起的。开关电源本质上具有高 dV/dt 的节点。将寄生电容与高 dV/dt 混合会产生 EMI 问题。当寄生电容的另一端连接到电源的输入端时,少量电流会直接泵入电源线。两个导体之间的电容与导体的表面积成正比,与它们之间的距离成反比。查看电路中的每个节点,并密切注意具有高 dV/dt 的节点。考虑一下布局中该节点上有多少表面积以及从输入线到电路板的距离。开关MOSFET和缓冲电路的漏极是常见的罪犯。尽
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[常见问题解答]MOSFET的失效机理介绍[ 2023-05-06 17:11 ]
MOSFET的失效机理介绍MOSFET的失效机理:dV/dt失效和雪崩失效本文的关键要点当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时,会造成击穿并引发雪崩击穿。发生雪崩击穿时,会流过大电流,存在MOSFET失效的危险。MOSFET雪崩失效包括短路造成的失效和热量造成的失效。dV/dt失效是MOSFET关断时流经寄生电容Cds的充电电流流过基极电阻RB,使寄生双极晶体管导通而引起短路从而造成失效的现象。dV/dt是单位时间内的电压变化量,VDS的上升坡度越陡,越容易发生MOSFET的dV/dt失效问题。一
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[常见问题解答]MOS管快速关断的电路介绍[ 2023-04-08 17:14 ]
MOS管快速关断的电路介绍一.前言当我们使用MOS管进行一些PWM输出控制时,由于此时开关频率比较高,此时就要求我们能更快速的开关MOS管,从理论上说,MOSFET 的关断速度只取决于栅极驱动电路。当然电流更高的关断电路可以更快对输入电容器放电,从而缩短开关时间,进而降低开关损耗。如果使用普通的 N 沟道器件,通过更低输出阻抗的 MOSFET 驱动器和/或负关断电压,可以增大放电电流。提高开关速度也能降低开关损耗,当然由于 MOSFET 的快速关断也会造成 di/dt 和 dv/dt 更高,因此关断加速电路会在波形
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[常见问题解答]缓冲电路如何保护晶闸管介绍[ 2023-04-01 17:05 ]
缓冲电路如何保护晶闸管介绍缓冲电路是吸收能量搞得电路,用于舒缓因电路电感造成的电压尖峰。有时候,因为过流,过压以及过热,元器件会出现损坏。而过流保护的电路我们有保险丝,过热有散热器或风扇。缓冲电路则用于限制电压或电流的改变速率(di/dt 或 dv/dt)以及电路开关时的过压。缓冲电路是电阻与电容的串联,然后与晶体管或晶闸管这样的开关相连,起到保护和提高性能的作用。开关和中继间的缓冲电路也可以用来防止电弧产生。在该项目,我们将告诉你缓冲电路是如何保护晶闸管免受过压或过流影响的,整个电路由缓冲电路和晶闸管以及 555
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[行业资讯]STD3NK50Z参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-28 16:16 ]
STD3NK50Z参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微STD3NK50Z中文参数,STD3NK50Z封装引脚图,STD3NK50Z数据手册,MOS管选型替代(生产厂家)STD3NK50Z场效应管封装TO-252,TO-251,TO-92,特征· 典型 RDS(on)=2.8Ω· 极高的dv/dt能力· ESD改进能力)· 100%雪崩测试· 新的高压基准· 栅极电荷最小化绝对最大额定值(TC=25°C,除非
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[行业资讯]IRFR420A参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-25 14:34 ]
? 低栅极电荷Qg导致简单驱动要求 ? 改进的门限、雪崩和动态dV/dt坚固性 ? 充分表征电容和雪崩电压和电流 ? 指定有效成本 ? 材料分类:用于合规性定义 应用:开关电源(SMPS),不间断电源供应,高速电源切换
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[行业资讯]JCS5N50RT场效应管参数 JCS5N50RT参数资料规格书〔壹芯微〕[ 2021-12-20 14:38 ]
JCS5N50RT场效应管参数 JCS5N50RT参数资料规格书〔壹芯微〕JCS5N50RT参数资料,选型替代,JCS5N50RT封装引脚图,数据手册,MOS管生产厂家漏源电压(VDSS):500V栅源电压(VGSS):±30V雪崩电流(IAR):5A漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID):5A漏极电流-连续(TJ=100°C)(ID):3.16A漏极电流-脉冲(IDM):20A单脉冲雪崩能量(EAS):305mJ重复雪崩能量(EAR):10.1mJ二极管恢复峰值(dv/dt):4.
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[行业资讯]TK5P50D场效应管参数 TK5P50D参数资料规格书〔壹芯微〕[ 2021-12-20 14:09 ]
TK5P50D场效应管参数 TK5P50D参数资料规格书〔壹芯微〕TK5P50D参数资料,选型替代,TK5P50D封装引脚图,数据手册,MOS管生产厂家漏源电压(VDSS):500V栅源电压(VGSS):±30V雪崩电流(IAR):2A漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID):2.8A漏极电流-连续(TJ=100°C)(ID):1.8A漏极电流-脉冲(IDM):9A单脉冲雪崩能量(EAS):120mJ重复雪崩能量(EAR):60mJ二极管恢复峰值(dv/dt):50V/ns功耗(TC=
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[行业资讯]AOD3N50场效应管参数 AOD3N50参数资料规格书〔壹芯微〕[ 2021-12-16 18:06 ]
AOD3N50场效应管参数 AOD3N50参数资料规格书〔壹芯微〕AOD3N50参数资料,选型替代,AOD3N50封装引脚图,数据手册,MOS管生产厂家漏源电压(VDSS):500V栅源电压(VGSS):±30V雪崩电流(IAR):2A漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID):2.8A漏极电流-连续(TJ=100°C)(ID):1.8A漏极电流-脉冲(IDM):9A单脉冲雪崩能量(EAS):120mJ重复雪崩能量(EAR):60mJ二极管恢复峰值(dv/dt):50V/ns功耗(TC=
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[行业资讯]NDD05N50ZT4G场效应管参数 NDD05N50ZT4G参数资料规格书〔壹芯微〕[ 2021-12-15 13:56 ]
NDD05N50ZT4G场效应管参数 NDD05N50ZT4G参数资料规格书〔壹芯微〕NDD05N50ZT4G参数资料,选型替代,NDD05N50ZT4G封装引脚图,数据手册,MOS管生产厂家NDD05N50ZT4G主要参数:漏源电压(VDSS):500V栅源电压(VGSS):±30V漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID):4.7A漏极电流-连续(TJ=100°C)(ID):3A漏极电流-脉冲(IDM):19A单脉冲雪崩能量(EAS):130mJ二极管恢复峰值(dv/dt):4.5V
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[行业资讯]4N70场效应管参数代换,4N70规格书下载,MOS管生产厂家[ 2021-11-10 12:10 ]
4N70场效应管参数代换,4N70规格书下载,MOS管生产厂家4N70场效应管参数及代换 (700V,4.4A) 4N70引脚图 4N70中文资料规格书(PDF)4N70.pdf 规格书下载4N70详细参数如下参数符号值单位漏极-源极电压VDSS700V栅极-源极电压VGSS±30V雪崩电流IAR4.4A栅极-源极电压ID4.4A漏极电流-脉冲IDM17.6A单脉冲雪崩能量EAS260mJ重复雪崩能量EAR10.6mJ二极管恢复峰值 dv/dtdv/dt4.5V/ns功耗,TO-220/TO
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[行业资讯]2N60场效应管参数代换,2N60中文资料规格书[ 2021-10-11 11:56 ]
2N60场效应管参数代换,2N60中文资料规格书2N60系列场效应管TO-252封装引脚图:2N60.pdf 规格书查看下载2N60场效应管特性参数如下:* RDS(ON)<5Ω @ VGS=10V, ID=1A* 快速切换能力* 指定雪崩能量* 改进的dv/dt能力,高耐用性2N60场效应管绝对最大额定参数如下:(TC=25°C,除非另有说明)极性:NPNDrain-SourceVoltage漏源电压,VDSS:600VGate-SourceVoltage栅源电压,VGSS:±
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[行业资讯]STD70N10F4 TO-252 MOS管100V,60A N沟道 大电流[ 2021-09-10 12:12 ]
STD70N10F4 TO-252 MOS管100V,60A N沟道 大电流STD70N10F4(N沟道增强型场效应晶体管);STD70N10F4场效应管参数;STD70N10F4场效应管封装引脚图;STD70N10F4场效应管中文资料规格书(PDF);电流(ID):60A,电压(VDSS):100V,封装形式:TO252产品概要STD70N10F4 100V<0.0195? 60AExceptional dv/dt capabilityExtremely low on-resistance RDS(on)1
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[行业资讯]IRFR7540场效应管参数中文资料(PDF) 选型替换 现货厂商 - 壹芯微[ 2021-09-09 10:35 ]
IRFR7540场效应管参数中文资料(PDF) 选型替换 现货厂商 - 壹芯微IRFR7540(N沟道增强型场效应晶体管);IRFR7540场效应管参数;IRFR7540场效应管封装引脚图;IRFR7540场效应管中文资料规格书(PDF);电流(ID):110A,电压(VDSS):60V,封装形式:TO252产品概要有刷电机驱动应用BLDC电机驱动应用电池供电电路半桥和全桥拓扑同步整流应用谐振模式电源OR-ing和冗余电源开关DC/DC和AC/DC转换器DC/AC逆变器好处改进的门限、雪崩和动态 dV/dt 坚固性
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[常见问题解答]MOS管知识-MOS管电容特性分析[ 2020-11-11 15:21 ]
MOS管知识-MOS管电容特性分析MOS管电容特性-动态特性从图九可以看出功率管的寄生电容分布情况,电容的大小由功率管的结构,材料和所加的电压决定。这些电容和温度无关,所以功率管的开关速度对温度不敏感(除阈值电压受温度影响产生的次生效应外)MOS管电容特性:由于器件里的耗尽层受到了机压影响,电容Cgs和Cgd随着所加电压的变化而变化。然而相对于Cgd,Cgs受电压的影响非常小,Cgd受电压影响程度是Cgs的100倍以上。如图10所示为一个从电路角度所看到的本征电容。受栅漏和栅源电容的影响,感应到的dv/dt会导致功
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[常见问题解答]7n80场效应管参数规格书PDF 封装详情 技术支持[ 2020-09-12 17:06 ]
7n80场效应管参数规格书PDF 封装详情 技术支持7n80场效应管参数-型号概述7n80场效应管参数型号概述,此功率MOSFET生产是使用SL先进的平面条纹DMOS技术,这个先进的技术是特别定制的,以减少通态电阻,提供优越的开关性能,在雪崩和转换方式下能承受高能脉冲器件,它非常适合高效率开关模式电源,有源功率因数校正基于半桥拓扑。7n80场效应管参数-型号特性RDS(on)=1.4Ω@VGS=10V低栅电荷(典型27nC)快速切换100%雪崩测试改进的dv/dt的能力7n80场效应管参数-型号封装图7n80场效应
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