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[常见问题解答]L5972D降压稳压器技术规格与应用场景详解[ 2025-04-15 15:42 ]

L5972D是一款高效的降压型开关稳压器，广泛应用于需要稳定电压的各种电力系统中。作为一款集成度高的电源管理芯片，L5972D能够提供稳定的输出电压，适用于多种电子设备和工业应用。一、技术规格L5972D的核心功能是降压稳压，它采用内置P沟道D-MOS晶体管作为开关元件，典型的Rdson值为250mΩ。此设计不仅减少了外部元件的体积，还提升了效率，使得L5972D在各种复杂环境下都能够提供高效稳定的电流。1. 输入电压范围L5972D支持宽广的输入电压范围，从4.4V到36V，这使得它在不同的电源系统中具有较高的兼

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[常见问题解答]开关电源的Boost电路图文解析[ 2024-01-18 18:48 ]

开关电源的Boost电路图文解析1 、Boost电路原理开关电源Boost电路是一种升压型DC-DC转换电路，其输出电压高于输入电压。Boost电路拓扑图如下图所示，该电路由开关管Q、电感L、输出滤波电容C、二极管D和负载R组成。其中开关管通常由PWM波驱动导通和关闭，控制电感储能、释放能量，进而实现升压。Boost电路拓扑结构图开关管Q导通时，导通电阻RdsON很小，相当于短路，此时，二极管左侧短路到地，右侧电容电压不能突变，因此二极管处于处于截止状态。输入电源Vin给电感L充电，电感储能，因为电感两端电流不能突

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[常见问题解答]场效应MOS管电源开关电路的缺点介绍[ 2023-11-24 18:13 ]

场效应管MOS管电源开关电路的缺点介绍MOS管因为其导通内阻低，开关速度快，因此被广泛应用在开关电源上。而用好一个MOS管，其驱动电路的设计就很关键。一般的电源开关电路，控制电源的目的是省电，控制静态电流。不过以下的电路存在着几个缺点：1.管压降较大我们知道采用PNP管子作为开关管的饱和压降在0～0.3V，这在低电路上是不可接受的。3.3V的控制电源最大误差变成3V，某些1.5V的电源变成1.2V，这会导致由此供电的芯片损坏。PMOS的管子压降为Vdrop=Id×Rdson，Rdson可选择，实际的值在

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[常见问题解答]电路设计，电源开关MOS管电路分析[ 2023-10-12 18:09 ]

电路设计，电源开关MOS管电路分析MOS管因为其导通内阻低，开关速度快，因此被广泛应用在开关电源上。而用好一个MOS管，其驱动电路的设计就很关键。一般的电源开关电路，控制电源的目的是省电，控制静态电流。不过以下的电路存在着几个缺点：1.管压降较大我们知道采用PNP管子作为开关管的饱和压降在0～0.3V，这在低电路上是不可接受的。3.3V的控制电源最大误差变成3V，某些1.5V的电源变成1.2V，这会导致由此供电的芯片损坏。PMOS的管子压降为Vdrop=Id×Rdson，Rdson可选择，实际的值在1欧

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[行业资讯]SSF5NS70D场效应管参数中文资料现货替代厂家直营 - 壹芯微[ 2021-09-30 11:24 ]

SSF5NS70D场效应管参数中文资料现货替代厂家直营 - 壹芯微型号：SSF5NS70D 极性：N沟道；电压：700V 电流：5A；封装：TO-252 促销价格/免费样品/选型替代/原厂直销SSF5NS70D参数中文资料,SSF5NS70D封装管脚引脚图,SSF5NS70D规格书:查看下载SSF5N50D的概述：SSF5NS70G/D/F系列MOSFET是一项新技术，结合了创新技术和推进过程。这项新技术实现了低Rdson、节能、高可靠性和均匀性、卓越的功率密度和节省空间。SSF5N50D的特性：高

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[常见问题解答]多个场效应MOS管的并联应用研究解析-壹芯微[ 2021-08-04 12:08 ]

多个场效应MOS管的并联应用研究解析-壹芯微1. MOS管并联的可行性分析由下面的某颗MOS管的温度曲线可以看出MOS管的内阻的温度特性是随温度的升高内阻也增大，如果在并联过程中由于某种原因（比如RDSON比较低，电流路径比较短等）导致某颗MOS管的电流比较大，这颗MOS管会发热比较严重，内阻会升高比较多，电流就会降下来，由此可以分析出MOS管有自动均流的特性而易于并联。2. MOS管的并联电路理论上MOS管可以由N颗并联，实际上MOS管并联多了容易引起走线很长，分布电感电容加大，对于高频电路工作产生不利的影响。下

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[常见问题解答]内置肖特基二极管的MOSFET能不能提高应用性能[ 2019-11-29 14:54 ]

当一个功率MOSFET被用在电桥拓扑或用作电源二次侧同步整流时，体漏二极管的特性及质量因子将变得非常重要。当需要Qrr数值很低的软反向恢复时，集成肖特基二极管的新60V“F7”功率MOSFET确保能效和换向性能更加出色。在同步整流和电桥结构中，RDSon和Qg两个参数并不是对功率MOSFET的唯一要求，实际上，本征体漏二极管的动态特性对MOSFET整体性能影响很大。体漏二极管的正向压降(VF,diode)影响开关在续流期间(开关处于关断状态，电流从源极经本征二极管流至漏极)的功率损耗；反向恢

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[常见问题解答]酷MOS管-超结MOS管选型与作用[ 2019-09-04 14:43 ]

一、酷MOS管选型1、一般我们选择一颗MOS 大致看以下几个参数 BV Id Rds Vth Qg Pd等。但是这几个参数，只有Qg和Id是交流参数，其他都是静态参数。而半导体这东西就是随温升变坏的。那动态参数，其实是变坏的。25度的电流是100A，也许125度的时候，电流只有50A，所以选型的时候要以高温下(老化房)的数据为准。那选好了电压、电流，剩下就是看Coolmos的损耗了。Coolmos露在表面的是Rdson 较低，只有平面管的1/3或者1/4，那MOS的导通损耗必然较之平面管要低不少。MOS的另外一个损

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