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[常见问题解答]决定MOSFET开关损耗的核心参数及其影响[ 2025-03-19 10:34 ]
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属-氧化物半导体场效应晶体管)是电力电子和开关电源中广泛应用的核心器件。在高频和高效能电路设计中,MOSFET的开关损耗直接影响整体能效和散热管理。因此,了解决定MOSFET开关损耗的核心参数及其影响,对于优化电路设计至关重要。一、MOSFET开关损耗的基本概念MOSFET在开关工作模式下,会经历从关断(高阻态)到导通(低阻态)以及从导通回到关断的过程。在这个转换期间,由于电压和电流不能瞬间变化,两者
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[常见问题解答]影响MOSFET开关损耗的主要参数解析[ 2025-03-08 12:12 ]
在电子电路设计中,MOSFET作为重要的开关器件,其开关损耗直接影响系统的能效和热管理。MOSFET在开关过程中会经历导通、关断等不同阶段,每个阶段都会涉及不同的能量损耗,而这些损耗受多种参数影响。一、MOSFET开关损耗的来源MOSFET的开关损耗主要来源于开通过程和关断过程,具体表现为:1. 开通损耗:MOSFET在从截止状态进入导通状态的过程中,漏极电流逐步上升,而漏极-源极电压逐步下降。这段时间内,MOSFET两端仍然存在较大的电压,同时流过较大的电流,导致功率损耗。2. 关断损耗:当MOSFET从导通状态
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