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[常见问题解答]功率MOSFET开关过程详解：开通与关断的物理原理[ 2024-10-10 12:04 ]

功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是现代电力电子技术中的重要器件，广泛应用于各种开关电源、电机驱动和功率转换系统中。其高效率和开关性能使其成为理想的选择。要了解功率MOSFET的性能，掌握开关它们的物理过程非常重要。本文详细分析了MOSFET工艺的基本工作原理和重要影响因素。一、功率MOSFET工作原理概述功率MOSFET的结构主要由栅极、漏极和源极组成。由于栅极电压控制沟道中的电子或空穴，因此源极和漏极之间的电流由栅极电压控制。当栅极电压超过一定阈值时，电子流入沟道并形成导通状态。相反，如果栅极电压

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[常见问题解答]解析功率MOSFET并联产生寄生振荡的原因和解决方法[ 2020-09-01 16:09 ]

解析功率MOSFET并联产生寄生振荡的原因和解决方法功率mosfet功率MOS场效应晶体管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。功率mosfet工作原理及其他详解截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。导电：在栅源极间加正电压UG

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[常见问题解答]CMOS-互补MOSFET工作原理和优势简介[ 2020-04-21 14:39 ]

CMOS-互补MOSFET工作原理和优势简介CMOS-互补金属氧化物半导体场效应晶体管简介互补金属氧化物半导体器件是其中P沟道和N沟道增强MOSFET以推挽式布置连接的芯片。CMOS的基本连接如图所示。N沟道和P沟道CMOS连接上图显示了各种CMOS连接，尤其是N沟道和P沟道CMOS连接。在该电路中，两个MOSFET（P沟道MOSFET和N沟道MOSFET）串联连接，使P沟道器件的源极连接到正电源+VDD，并连接N沟道器件的源极到地面。两个器件的栅极作为公共输入连接，两个器件的漏极端子作为公共输出连接在一起。当输入

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[常见问题解答]EMOSFET-增强型MOSFET工作原理图符号-结构及特性知识[ 2020-04-17 14:35 ]

EMOSFET-增强型MOSFET工作原理图符号-结构及特性知识尽管DE-MOSFET在特殊应用中很有用，但它并没有得到广泛的应用。然而，它在历史上发挥了重要作用，因为它是向E模式MOSFET发展的一部分，这种器件彻底改变了电子工业。电子mosfet在数字电子学和电子学中已经变得非常重要。如果没有电子mosfet，现在如此普遍的个人电脑(pc)将不存在。EMOSFET的结构：N通道增强型MOSFET的结构图该图显示了N沟道E-MOSFET的结构。DE-MOSFET结构与E-MOSFET结构之间的主要区别，正如我们从

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[常见问题解答]MOS管-mosfet工作原理结构,特性详解[ 2019-01-15 17:48 ]

壹芯微作为国内专业生产MOS管的生产厂家,生产技术已经是非常的成熟,进口的测试仪器,可以很好的帮组到客户朋友稳定好品质,也有专业的工程师在把控稳定质量,协助客户朋友解决一直客户自身解决不了的问题,每天会分析一些知识或者客户的一些问题,来出来分享,MOS管-mosfet工作原理结构,特性详解,请看下方p沟道增强型mosfetP沟道mosfet介绍金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类，P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，柵极上加有足够的正

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