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[常见问题解答]提升MOSFET效率的五种关键方法[ 2025-03-28 11:51 ]

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是当代电子系统中广泛应用的主流功率开关元件，其性能优劣直接影响整机的能耗控制、温升水平以及响应速度等关键技术指标。无论在电源管理、马达控制、逆变器，还是高频数字电路中，如何提高MOSFET的工作效率，始终是电子工程师重点关注的问题。一、优化导通电阻，降低功率损耗MOSFET导通时的损耗主要由其内部电阻（Rds(on)）造成。Rds(on)越小，电流通过器件时的压降和功耗越低，器件发热也随之减少。解决路径包括：- 选用低Rds(on)的MOSFET器件，特别是在大电流应用场

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[常见问题解答]MOSFET导通行为及电路设计中的关键参数[ 2025-02-25 11:40 ]

在现代电子电路设计中，MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）因其高效、低功耗和高速开关特性，被广泛应用于模拟和数字电路、功率转换、信号放大等领域。掌握MOSFET的导通行为及相关关键参数，对于优化电路设计、提高性能至关重要。一、MOSFET的导通行为MOSFET的导通取决于栅极-源极电压（Vgs）相对于阈值电压（Vgs(th)）的大小，不同类型的MOSFET，其导通条件有所不同。1. NMOS的导通机制NMOS晶体管导通的关键在于栅极电压相对于源极电压的提升。当Vgs超过阈值电压（Vgs(th)）时，P型

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[常见问题解答]开关模式电源电流：何处放置检测电阻介绍 | 壹芯微[ 2022-09-06 13:02 ]

电流检测电阻的位置连同开关稳压器架构决定了要检测的电流。检测的电流包括峰值电感电流、谷值电感电流（连续导通模式下电感电流的最小值）和平均输出电流。检测电阻的位置会影响功率损耗、噪声计算以及检测电阻监控电路看到的共模电压。放置在降压调节器高端对于降压调节器，电流检测电阻有多个位置可以放置。当放置在顶部MOSFET的高端时（如图1所示），它会在顶部MOSFET导通时检测峰值电感电流，从而可用于峰值电流模式控制电源。但是，当顶部MOSFET关断且底部MOSFET导通时，它不测量电感电流。图1．带高端RSENSE的降压转换

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[常见问题解答]要怎么降低mosfet导通压降-降低高压MOSFET导通电阻原理以及方法[ 2020-12-04 17:04 ]

要怎么降低mosfet导通压降-降低高压MOSFET导通电阻原理以及方法MOS管如何把MOS管导通时电压降控制在最小如何降低mosfet导通压降，Rds（on）是MOS管导通时，D极和S极之间的内生电阻，它的存在会产生压降，所以越小越好。D极与S极间电流Id最大时完全导通。在图中可以看到Vgs=10v完全导通，电阻Rds=5欧左右，电流Id=500mA（最大，完全导通），产生压降Vds=2.5v。而Vgs=4.5v时，Id=75mA（不是最大，没完全导通），Rds=5.3欧左右，虽然没完全导通，但产生的压降Vds=

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[常见问题解答]MOSFET导通过程图文详细详解（快速了解）[ 2020-09-15 17:52 ]

MOSFET导通过程图文详细详解（快速了解）MOSFET导通过程详解，MOSFET简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSF

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[常见问题解答]浅谈碳化硅mosfet驱动和硅IGBT的区别-应用与分类[ 2020-08-31 15:07 ]

浅谈碳化硅mosfet驱动和硅IGBT的区别-应用与分类碳化硅mosfet本文主要讲硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动的区别。我们先来看看碳化硅mosfet概述：在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。碳化硅mosfet驱动与硅IGBT的区别硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，

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[常见问题解答]一种智能的碳化硅MOSFET驱动核和驱动要求与特性详解[ 2020-08-28 16:08 ]

一种智能的碳化硅MOSFET驱动核和驱动要求与特性详解碳化硅mosfet是什么在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。一种智能的碳化硅MOSFET驱动核详解近年来，以碳化硅、氮化镓材料为代表的第三代宽禁带功率半导体器件越来越受到客户的追捧。特别是碳化硅材料的MOSFET、肖特基二极管，以其宽带隙，高电场强度，良好散热特性，以及高可靠性等特点，为客户的产品带来高效率

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[常见问题解答]IGBT基本工作原理与IGBT的作用是什么[ 2020-08-20 17:38 ]

IGBT基本工作原理与IGBT的作用是什么IGBT由栅极（G）、发射极（E）和集电极（C）三个极控制。如图1，IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。由图2可知，若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。图1 IG

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[常见问题解答]MOSFET导通电阻Rds(ON)及VGS-结温-耐压的关系解析[ 2020-04-07 15:30 ]

MOSFET导通电阻Rds(ON)及VGS-结温-耐压的关系解析导通电阻Rds(ON)是场效应管（MOSFET）的一项重要参数，mos管在越来越多的新能源和汽车电子应用中，都能发现MOSFET的身影，而且很多应用要求超低导通电阻的MOSFET功率器件。什么是Rds(ON)？Rds(ON)是MOSFET工作（启动）时，漏极D和源极S之间的电阻值，单位是欧姆。对于同类MOSFET器件，Rds(ON)数值越小，工作时的损耗（功率损耗）就越小。mos管工作电路对于一般晶体管，消耗功率用集电极饱和电压（VCE(sat)）乘以

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[常见问题解答]igbt作用与原理是什么-igbt怎么选型和使用注意事项[ 2019-11-09 12:00 ]

igbt作用与原理是什么-igbt怎么选型和使用注意事项详解igbt作用和原理是什么？IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。图1 IGBT的等效电路由此可知,IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定：1、IGBT栅极与发射极之间的电压。2、IGBT集电极与发射极之间的电压。3、流

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