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[常见问题解答]MOS管漏电流类型解析及有效降低方法指南[ 2024-11-20 12:22 ]: MOS管作为电子设备中广泛使用的半导体元件，其性能对电路整体效率有着重要影响。然而，MOS管的漏电流问题一直是影响小功率管能效和可靠性的重要因素。本文将分析MOS管的漏电流类型，并探讨降低漏电流的有效方法。一、漏电流类型分析MOS管漏电流主要有以下几种类型，每种类型在发生机制和影响方面都有其特点。1. 反向偏置结漏电流结漏电流发生在MOS晶体管关闭时，由源极和漏极之间的反向偏置二极管控制，形成基板或接片。这种漏电流的主要来源包括耗尽区中的漂移电流和扩散电流，以及耗尽区中少数载流子产生的电子空穴对。带间隧道效应（BT; http://www.szyxwkj.com/Article/mosgldllxj_1.html

[常见问题解答]MOS管泄漏电流的类型解析及产生原因剖析[ 2024-10-11 14:47 ]: MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是现代电子电路必不可少的元件，应用广泛。然而，它被用于现代电子学中的各种模拟和数字电路设计。然而，这种小电流会对电路性能产生负面影响，并且可能是低功耗系统中的一个主要问题。本文详细分析了不同类型MOS管漏电流及其产生的原因，以便工程师更好地了解和处理这个问题。1、MOS管漏电流的主要类型可分为以下几种，每种类型都有不同的成因和特点。1. 栅极漏电流（Ig）栅极漏电流是指通过栅极的漏电流。当向栅极施加高电场时，通常会发生氧化层电流渗透到衬底中。随着半导体技术向更小的工艺节点发展; http://www.szyxwkj.com/Article/mosgxldldl_1.html

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