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[常见问题解答]mos管功耗-mos管功耗计算方法和MOS驱动基础[ 2020-09-09 14:45 ]
mos管功耗-mos管功耗计算方法和MOS驱动基础MOS管功耗,要确定一个MOSFET场效应管是否适于某一特定应用,需要对其功率耗散进行计算。耗散主要包括阻抗耗散和开关耗散:PDDEVICETOTAL=PDRESISTIVE+PDSWITCHINGmos管功耗-低功耗趋势封装的小型化使封装的热阻降低,功率耗散才能进步,相同电压电流规格或者功率规格的产品,个头小的,功率耗散才能更高,这似乎与我们的生活常识有些相悖,但是事实确实如此。VMOS的通态功耗,业界习气于用饱和导通电阻RDS(ON)来权衡,这是不太客观的,由于
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