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[常见问题解答]详解IGBT组件:它的输出信号到底是交流还是直流?[ 2024-09-21 10:39 ]
绝缘栅双极晶体管(IGBT)技术作为电力电子转换中的关键组件,其作用至关重要。了解IGBT的输出信号类型对于电子和电气工程师来说非常关键,这直接影响了其在复杂电力系统中的应用和性能。本文深入探讨IGBT的工作原理和输出特性,通过具体示例增强对其功能的理解。一、IGBT技术概述IGBT结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低饱和电压优势,是一种高效的开关器件。在电力电子系统中,无论是可再生能源系统、电动车驱动还是高效电源管理,IGBT都能提供高效的电流控制解决方案。二、IGBT的输出特性IGBT本身不生成电流或电压
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[常见问题解答]IGBT激光退火技术解析[ 2023-06-08 17:47 ]
IGBT激光退火技术解析激光退火是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)背面工艺的重要步骤。对离子注入后的硅基IGBT 圆片背面进行激光快速退火,实现激活深度,有效修复离子注入破坏的晶格结构。随着IGBT技术发展和薄片加工工艺研发的需要,IGBT背面退火越来越多应用激光退火技术。1.IGBT退火技术在垂直方向上,IGBT结构经历了穿通型(pouch through,PT),非穿通型(non pouch through,NPT)和电场截止型(field stop,FS),使器件的整体性能不断提高。图 IGBT结构的变化在NP
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[常见问题解答]IGBT,MOSFET以及三极管的区别[ 2021-03-01 11:41 ]
IGBT,MOSFET以及三极管的区别mos管、igbt、三极管比较,mos开关速度最快,三极管最慢,而igbt内部是靠mos管先开通驱动三极管开通(这个原理决定了它的开关速度比mos慢,比三极管快,和几代技术无关)。mos管的最大劣势是随着耐压升高,内阻迅速增大(不是线性增大),所以高压下内阻很大,不能做大功率应用。随着技术发展,无论mos管还是igbt管,它们的各种参数仍在优化。目前igbt技术主要是欧美和日本垄断,国内最近2年也几个公司研究工艺,但目前都不算成熟,所以igbt基本都是进口。igbt的制造成本比
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[常见问题解答]二极管模块技术选型知识介绍[ 2020-10-12 15:54 ]
二极管模块技术选型知识介绍二极管模块技术选型铸造辉煌,IGBT硅片的结构与功率MOSFET的结构分相似,主要差异是IGBT增加了P+基片和一个N+缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分。如等效电路图所示(图,其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和N+区之间创建了一个J1结。当正栅偏压使栅极下面反演P基区时,一个N沟道形成,同时出现一个电子流,并完全按照功率MOSFET的方式产生一股电流。如果这个电子流产生的电压在范围内,那么,J1将处于正向偏压,一些空注入N-区内,并调整阴阳极
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