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[常见问题解答]GaN MOS驱动电路设计要点与实战技巧[ 2025-04-12 10:40 ]
随着氮化镓(GaN)MOSFET器件在电力电子和高频开关电源领域的广泛应用,其驱动电路的设计逐渐成为工程开发中的关键技术之一。得益于GaN器件高开关速度、低损耗和高电压承受能力的特性,合理而高效的驱动设计不仅直接影响电路性能,还决定了系统稳定性和使用寿命。一、驱动GaN MOS管的核心设计挑战氮化镓MOS管虽然性能优越,但与传统硅MOS相比,其在驱动环节存在显著差异。以下几点是GaN驱动设计时常见且必须重点关注的技术难题:1. 栅极耐压低GaN MOS栅极耐压普遍只有6V~10V,远低于Si MOS。因此,驱动电压
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