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[技术文章]SN74HC245 典型应用电路[ 2024-05-14 17:24 ]
SN74HC245 是一种广泛应用的八位双向传输线路驱动器,属于高速CMOS器件类别。其主要特点和应用场景可分为以下几个方面:一、应用场景1. 逻辑电平转换:在多电压系统中,SN74HC245 可用于不同逻辑电平之间的转换,例如将3.3V逻辑电平转换为5V。2. 总线扩展:在微处理器和微控制器系统中,SN74HC245 可用于总线扩展。通过其双向传输功能,它能够在数据总线上有效地传送数据,增强了系统的处理能力和灵活性。3. 信号隔离:在需要电气隔离的应用中,SN74HC245 可以防止高电压干扰低电压部件,确保系统
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[常见问题解答]CMOS静电和过压问题介绍[ 2023-06-08 17:13 ]
CMOS静电和过压问题介绍对于模拟CMOS(互补对称金属氧化物半导体)而言,两大主要危害是静电和过压(信号电压超过电源电压)。了解这两大危害,用户便可以有效应对。  静电由静电荷积累(V=q/C=1kV/nC/pF)而形成的静电电压带来的危害可能击穿栅极与衬底之间起绝缘作用的氧化物(或氮化物)薄层。这项危害在正常工作的电路中是很小的,因为栅极受片内齐纳二极管保护,它可使电荷损耗至安全水平。然而,在插人插座时,CMOS器件与插座之间可能存在大量静电荷。如果插人插座的第一个引脚恰巧没有连接齐纳二极管
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[常见问题解答]隧穿场效应晶体管介绍[ 2022-10-10 19:08 ]
隧穿场效应晶体管(TFET)与其他的mos管想对比,其S可以突破60mV/decade的限制,而且TFET的Ioff非常低,所以TFET的工作电压可以进一步地降低。目录1.隧穿场效应晶体管是什么2.隧穿场效应晶体管的工作原理1.隧穿场效应晶体管是什么隧穿场效应晶体管(TFET)在比较小的栅电压条件下,TFET的Ion和Ion/Ioff都会大于传统MOSFTE的Ion和Ion/Ioff。所以TFET被看做是非常有前景的低工作电压和低功耗的逻辑CMOS器件。除了使用多栅结构提高器件的栅控能力和S小于60mV/decad
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[常见问题解答]基于LM567与CMOS器件组成的校时电路|壹芯微[ 2022-05-10 15:28 ]
基于LM567与CMOS器件组成的校时电路|壹芯微 石英数字钟由于石英晶体的老化、温度的变化以及其它因素的影响,若长时间不去校正走时,累加起来的计时误差是可观的。对用户来讲,希望电子钟通电后,经过一次性调时,能准确地完成时间显示和对其它外围设备进行一系列的时间控制功能。
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[常见问题解答]基于74HC164的仪表电路设计介绍|壹芯微[ 2022-04-23 16:15 ]
基于74HC164的仪表电路设计介绍|壹芯微 74HC164是高速硅门CMOS器件,与低功耗肖特基型TTL(LSTTL)器件的引脚兼容。74HC164是8位边沿触发式移位寄存器,串行输入数据,然后并行输出。数据通过两个输入端(DSA或DSB)之一串行输入;任一输入端可以用...
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[常见问题解答]74LS164的特点、功能图、引脚及功能介绍|壹芯微[ 2022-04-19 15:16 ]
74LS164的特点、功能图、引脚及功能介绍|壹芯微 74HC164、74HCT164是高速硅门CMOS器件,与低功耗肖特基型TTL(LSTTL)器件的引脚兼容。74HC164、74HCT164是8位边沿触发式移位寄存器,串行输入数据,然后并行输出。数据通过两个输入端(DSA...
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[常见问题解答]基于LM567与CMOS器件组成的校时电路介绍[ 2021-12-22 11:29 ]
基于LM567与CMOS器件组成的校时电路介绍石英数字钟由于石英晶体的老化、温度的变化以及其它因素的影响,若长时间不去校正走时,累加起来的计时误差是可观的。对用户来讲,希望电子钟通电后,经过一次性调时,能准确地完成时间显示和对其它外围设备进行一系列的时间控制功能。1.校时电路就目前公开的校时电路而言,电路设计的指导思想是采用带通滤波技术,取出对时信号。本文介绍的校时电路,采用频率解码技术,使校时电路性能更加可靠,电路调试更为简单。由锁相环LM567和CMOS器件组成的校时电路如图1所示,下面作一介绍。图1校时电路2
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[常见问题解答]怎么保护Cmos IC器件介绍[ 2020-05-13 11:19 ]
怎么保护Cmos IC器件介绍如何保护Cmos IC设备Cmos IC保护电路所有MOS管器件都具有绝缘栅极,可能会发生电压击穿。例如,用于摩托罗拉CMOS器件的栅极氧化物厚度约为900 A,并且在栅极 - 源极电位约为100伏时发生击穿。为了防止这种由静态放电或其他电压瞬态引起的击穿,使用图中所示的保护网络在CMOS器件的每个输入端。静电损坏设备的行为方式不同,具体取决于损坏的严重程度。最严重损坏的输入是最容易检测的,因为输入已被完全破坏,并且短路VDD,短路至Vgs或开路。效果是该装置不再响应信号存在于受损的输
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