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[常见问题解答]如何有效挑选功率MOSFET:实用策略与技巧[ 2024-11-02 12:04 ]
在电子设计领域,功率MOSFET的选择是系统性能的关键因素。以下是一些实用策略和技术,以帮助工程师更有效地选择合适的功率MOSFET。一、确定应用要求在开始选择功率MOSFET之前,必须首先明确以下几点:1. 工作电压范围:了解功率MOSFET的最大输入电压非常重要。功率MOSFET的介电强度(BVDSS)必须高于最大系统电压,以避免在运行期间损坏。对于某些电源应用,600 V或650 V MOSFET是常见选择。2. 工作频率:开关频率可能会根据应用的不同而有很大差异,通常MOSFET是高频的,而电机驱动器可能是
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[常见问题解答]MOSFET场效应管电性能相关参数介绍[ 2023-06-25 15:27 ]
场效应管MOSFET电性能相关参数介绍本篇主要介绍电性能相关的参数。相关的参数如下表所示图:电性能相关参数1、漏-源极击穿电压(BVDSS)BVDSS 是反向偏压的体二极管被击穿,且雪崩倍增引发大量的电流在源极和漏极之间流动的电压。BVDSS的含义虽然与VDS略有差异,但是在数值上一般是相同的。一般技术手册中给出的VDSS为额定值,BVDSS给出的是最小值,所谓数值相同,是VDSS的额定值与BVDSS的最小值相同。VDS电压偶尔超过VDSS,MOSFET会进入雪崩击穿区,可能不会马上损坏MOSFET,但是经常超过的
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[常见问题解答]MOSFET的失效机理介绍[ 2023-05-06 17:11 ]
MOSFET的失效机理介绍MOSFET的失效机理:dV/dt失效和雪崩失效本文的关键要点当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时,会造成击穿并引发雪崩击穿。发生雪崩击穿时,会流过大电流,存在MOSFET失效的危险。MOSFET雪崩失效包括短路造成的失效和热量造成的失效。dV/dt失效是MOSFET关断时流经寄生电容Cds的充电电流流过基极电阻RB,使寄生双极晶体管导通而引起短路从而造成失效的现象。dV/dt是单位时间内的电压变化量,VDS的上升坡度越陡,越容易发生MOSFET的dV/dt失效问题。一
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[常见问题解答]mos管失效模式分析-MOS管失效的几大原因总结与详解[ 2020-03-13 12:24 ]
mos管失效模式分析-MOS管失效的几大原因总结与详解mos管失效模式分析-MOS管失效的几大原因总结MOS管失效的原因如下:1:雪崩失效(电压失效),也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压,并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效。2:SOA失效(电流失效),既超出MOSFET安全工作区引起失效,分为Id超出器件规格失效以及Id过大,损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。3:体二极管失效:在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中,由于体二极管遭受破坏而导致的失效。4:谐
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[常见问题解答]mos管SOT23封装型号大全与引脚顺序排列定义[ 2019-05-28 12:35 ]
壹芯微作为国内专业生产二三极管的生产厂家,生产技术已经是非常的成熟,进口的测试仪器,可以很好的帮组到客户朋友稳定好品质,也有专业的工程师在把控稳定质量,协助客户朋友解决一直客户自身解决不了的问题,每天会分享一些知识或者客户的一些问题,今天我们分享的是,mos管SOT23封装型号大全与引脚顺序排列定义,请看下方SOT23封装mos管型号SOT-23N-CHANNELPart Number ID (A) BVDSS (V) RDS(ON)(Ω)2300 6 20 0.032302 3 20 0.0652304 2.5
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