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[常见问题解答]避免击穿与过流：MDD系列快恢复二极管耐压电流选型实用策略[ 2025-04-19 11:47 ]

在开关电源、高频逆变器以及新能源应用中，快恢复二极管因其切换速度快、恢复时间短、损耗低等优势，被广泛部署于功率整流和续流环节。其中，MDD系列快恢复二极管凭借出色的热稳定性与高频性能，在高压大电流环境中更显优势。但若在选型过程中忽略了耐压或电流匹配的问题，不仅可能引发击穿、过流，甚至可能导致整个系统的不稳定或失效。一、耐压参数如何合理选择快恢复二极管的反向耐压（VRRM）是其最关键的参数之一，代表器件能在反向偏置下承受的最大电压。如果所选器件的VRRM低于实际工作电压峰值，则极易在负载尖峰或EMI冲击中发生击穿。二

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[常见问题解答]晶振行业新风向：小型化趋势下的3225及更小尺寸晶体分析[ 2024-12-25 11:22 ]

晶振行业正在经历新的技术变革，随着现代电子设备快速向小型化、便携化发展，晶振作为电子设备重要的时钟信号源，其性能和容量直接影响晶振的整体设计和应用场景。小型化将是晶振发展的重要方向。晶振作为频率控制器件，广泛应用于手机、智能便携设备、物联网终端等家电产品中。此前，晶体振荡器体积庞大，难以满足现代小型设备的需求。随着先进制造工艺的不断发展，3225尺寸（3.2mm x 2.5mm）晶体振荡器应运而生，不仅减小了尺寸，而且提供了卓越的性能。在保持稳定的同时实现了高频性能、高精度、稳定性能。一、3225以下晶振的主要应用

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[常见问题解答]碳化硅MOSFET栅极氧化层缺陷检测的最新进展与挑战[ 2024-12-14 12:18 ]

随着电力电子和高频通信技术的不断发展，碳化硅（SiC）MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）凭借其优异的高温特性，成为功率半导体领域的重要材料，尤其是在高功率和高频性能方面。然而，SiC MOSFET的性能并非完全没有误差，特别是在栅极氧化物（gate Oxide）这一关键结构上。因此，对这些缺陷的有效检测和表征已成为SiC MOSFET研究和应用中的重要课题。栅氧化层的质量直接关系到器件的击穿电压、开关速度和长期稳定性，界面缺陷或材料缺失会导致漏电流增大、阈值电压漂移和器件失效，进而影响整个电路

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[技术文章]ES1GF 典型应用电路[ 2024-04-16 17:15 ]

ES1GF是一种在电子电路中极为重要的半导体器件，特别设计用于高效的快速开关和整流操作。由于其卓越的恢复速度和优异的高频性能，ES1GF成为许多电子设备中不可缺少的部分，有效提升了电路的整体性能和能效。一、ES1GF的应用场景1. 开关电源：在开关电源中，ES1GF负责整流输入电压，将交流电转换为直流电。它的快速恢复能力有助于提升电源的转换效率和响应速度，同时减少能量损耗。2. 电源管理：在复杂的电源管理系统中，例如计算机服务器和通信设备，ES1GF用于处理输入电源，确保供电的稳定性和电压的精确调节。3. 频率转换

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[常见问题解答]用两个三极管组成的逆变器电路图解[ 2023-07-24 17:34 ]

用两个三极管组成的逆变器电路图解若双13V变压器是采用铁氧体磁芯制作的高频性能较好的高频变压器，那么只要采用两个三极管即可构成一个简单的逆变器，电路如下图所示。两个三极管构成的简易逆变器电路电路中，两个三极管及变压器初级线圈L1和L2组成一个简单的振荡电路。虽然电阻R1和R2取值一样，三极管VT1和VT2的型号相同，但由于三极管参数的离散性，它们不可能完全一样，故接通电源后总有一个管子先导通。这里假定VT1先导通，则12V直流电源通过变压器初级线圈L1及VT1的c-e两极构成回路，由于L1中有电流通过，L2将产生一

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[常见问题解答]二极管电容详解，二极管电容介绍[ 2023-04-17 16:24 ]

二极管电容详解，二极管电容介绍1. 二极管电容如果你只做低频领域，那可以不管二极管电容。但那几乎是不可能的，随着现在电子电路和MCU芯片的主频越来越高，总会碰上中频和高频情况的。任何的电子器件都是对频率敏感的。当你电路的工作频率高到一定程度以后，即使是最基本的电阻也是靠不住的，也会随频率发生一些性能上的变化。那些你平时不用考虑的：电源、开关、甚至导线，在高频下都会发生性能变化，统统都要在设计时予以考虑。影响元器件高频性能的主要原因，是元器件上固有的寄生电容和电感（任何器件都不可能是完美的，有

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[常见问题解答]MOS管中的密勒效应详解[ 2023-02-21 17:55 ]

前面我们详细的介绍了共射放大电路的设计步骤，对于低频信号，可以不考虑三极管的频率特性，但是随着输入信号频率的增加，MOS管的寄生电容就不得不考虑。MOS管有极间电容有Cgd，Cgs，Cds。MOS管的寄生电容Cgs跨接在输入端与地之间，对于输入端来说与基极电阻构成了低通滤波器，会使MOS管的高频性能下降。Cds跨接在输出端与地之间，对于输出端来说与基极电阻构成了低通滤波器，会使MOS管的高频性能下降。虽然Cgs和Cds都使MOS管的高频性能下降，却很好理解。只要知道了这两个容值，和输入输出电阻就可以计算出截止频率，

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[常见问题解答]光电二极管的工作原理介绍[ 2022-01-05 12:09 ]

光电二极管的工作原理介绍光电二极管(也叫光敏二极管)是将光信号变成电信号的半导体器件，与光敏电阻相比具有灵敏度高、高频性能好，可靠性好、体积小、使用方便等优点。光电二极管和普通二极管一样具有一个PN结，不同之处是在光电二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射，实现光电转换，在电路图中文字符号一般为VD。光电二极管工作原理光电二极管的核心部分是一个PN结，为了便于接受入射光照，在光电二极管的管壳上有一个能射入光线的窗口，窗口上镶着玻璃透镜，光线可通过透镜照射到管芯，而且PN结面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，

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[常见问题解答]肖特基二极管的特点知识介绍[ 2021-11-20 18:15 ]

肖特基二极管的特点知识介绍肖特基二极管具有良好的高频性能及较低的正向压降，广泛用于开关电源及逆变器电路中。下面我们将肖特基二极管与硅开关二极管及整流二极管做一比较，来看看肖特基二极管有什么特点？肖特基二极管、开关二极管及快恢复二极管都具有良好的高频性能，但它们又有以下不同：①、硅开关二极管（现在锗开关二极管很少使用）的正向压降一般在0.5～0.6V，正向工作电流较小，多在百十mA以下，具有良好的开关性能。这类管子主要用于早期分立元件的数字电路中以及高频小电流的整流。②、快恢复二极管的正向压降较大（＞0.7V），耐压

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[常见问题解答]为电路板加上肖特基二极管,防止电路板正负极接反知识介绍[ 2021-11-02 16:05 ]

为电路板加上肖特基二极管,防止电路板正负极接反知识介绍肖特基二极管正向压降小（一般为0.2～0.3V）、高频性能好，比较适合用在电路板上防止电源接反而损坏元器件，并且成本也很低。下面介绍两种具体的应用电路。1、一个肖特基二极管构成的保护电路。

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[常见问题解答]减少开关电源模块纹波噪音的措施介绍[ 2021-01-09 17:12 ]

减少开关电源模块纹波噪音的措施介绍开关电源模块由于其开关管工作于高频开关状态，输出的纹波噪声较大，一般为输出电压的1%左右，低的为输出电压的0.5%左右，最好产品的纹波噪声也有几十mV。而线性电源的调整管工作于线性状态，无纹波电压，输出的噪声较小，其单位是μV。下面谈下如何减少电源的纹波噪音。1、减少EMI干扰可以采用金属外壳做屏蔽，减小外界电磁辐射干扰。减少从电源线输入的电磁干扰，可以在电源输入端加EMI滤波器。2、在输出端采用高频性能好、ESR低的电容采用高分子聚合物固态电解质的铝或钽电解电容作输出电容是最佳的

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[常见问题解答]什么是开关二极管-开关二极管的工作原理是什么[ 2020-05-18 15:14 ]

什么是开关二极管-开关二极管的工作原理是什么什么是开关二极管？开关二极管可以说是一个非常基本的元件，开关二极管反应迅速且结电容小，它在电路中的作用就是开关和隔离，主要应用于电子计算机领域及开关电路等。那么你知道高频性能良好的开关二极管工作原理是什么吗？什么是开关二极管开关二极管是半导体二极管的一种，是为在电路上进行"开"、"关"而特殊设计制造的一类二极管。它由导通变为截止或由截止变为导通所需的时间比一般二极管短，常见的有2AK、2DK等系列，主要用于电子计算机、脉冲和开关电路

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[常见问题解答]MOS电容-MOS管高频小信号电容知识[ 2019-06-11 17:03 ]

壹芯微作为国内专业生产二三极管的生产厂家,生产技术已经是非常的成熟,进口的测试仪器,可以很好的帮组到客户朋友稳定好品质,也有专业的工程师在把控稳定质量,协助客户朋友解决一直客户自身解决不了的问题,每天会分享一些知识或者客户的一些问题,今天我们分享的是,三端稳压管7805结构参数与接线图解析,请看下方从MOS管的几何构造及工作原理能够发现，MOS管存在着多种电容，这会影响MOS管的高频性能。依据MOS管的几何构造构成的各类电容如图1.5所示，详细为：(1)栅与沟道之间的栅氧电容C2=WLCox，其中Cox为单位面积栅

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