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[常见问题解答]氮化镓MOSFET的性能特点与局限性[ 2025-04-21 14:49 ]: 氮化镓（GaN）MOSFET作为一种新型的功率器件，因其优异的性能在众多领域中得到了广泛应用。一、氮化镓MOSFET的主要性能特点1. 高电子迁移率氮化镓材料的电子迁移率显著高于传统硅材料，这使得GaN MOSFET具有更高的导电能力。这一特性对于提高开关速度和电流传输效率至关重要。特别是在高频率应用中，GaN MOSFET能够提供更快的响应时间和更低的开关损耗，从而在高速电力电子系统中表现出色。2. 宽禁带宽度氮化镓的宽禁带宽度（约为3.4 eV）使其能够承受更高的工作温度和电压。在高功率和高温应用中，GaN M; http://www.szyxwkj.com/Article/dhjmosfetd_1.html

[常见问题解答]MOS管的带载能力如何增强[ 2024-03-04 17:12 ]: 如何增强MOS管的带载能力呢？增强MOS管的带载能力是通过优化器件的设计和选择适合的工作条件来实现的。下面将详细介绍如何增强MOS管的带载能力。1. 选择合适的材料：MOS管的材料选择对其带载能力有很大影响，常用的MOS管材料有硅、碳化硅和氮化硅等。不同材料具有不同的特性，硅材料具有高电子迁移率和较低的电阻，适用于高频应用；碳化硅具有高电子饱和速度和高电压传导能力，适用于高功率应用；氮化硅具有高温特性和较高的能带间隙，适用于高温和高电压应用。因此，根据实际需求选择合适的材料可以提高MOS管的带载能力。2. 优化通道; http://www.szyxwkj.com/Article/mosgddznlr_1.html

[常见问题解答]高电子迁移率晶体管(HEMT)资料[ 2019-10-31 10:21 ]: 高电子迁移率晶体管（HEMT，High Electron Mobility Transistor）：HEMT是一种异质结场效应晶体管（HFET），又称为调制掺杂场效应晶体管（MODFET）、二维电子气场效应晶体管（2-DEGFET）、选择掺杂异质结晶体管 (SDHT)等。这种器件及其集成电路都能够工作于超高频（毫米波）、超高速领域，原因就在于它采用了异质结及其中的具有很高迁移率的所谓二维电子气来工作的。上世纪70年代采用MBE 和MOCVD就制备出了异质结。1978年Dingle等首先证实了在AlGaAs/GaA; http://www.szyxwkj.com/Article/gdzqyljtgh_1.html

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