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[常见问题解答]氮化镓MOSFET的性能特点与局限性[ 2025-04-21 14:49 ]: 氮化镓（GaN）MOSFET作为一种新型的功率器件，因其优异的性能在众多领域中得到了广泛应用。一、氮化镓MOSFET的主要性能特点1. 高电子迁移率氮化镓材料的电子迁移率显著高于传统硅材料，这使得GaN MOSFET具有更高的导电能力。这一特性对于提高开关速度和电流传输效率至关重要。特别是在高频率应用中，GaN MOSFET能够提供更快的响应时间和更低的开关损耗，从而在高速电力电子系统中表现出色。2. 宽禁带宽度氮化镓的宽禁带宽度（约为3.4 eV）使其能够承受更高的工作温度和电压。在高功率和高温应用中，GaN M; http://www.szyxwkj.com/Article/dhjmosfetd_1.html

[常见问题解答]SiC二极管的结构与工作原理解析[ 2025-03-06 11:56 ]: 随着功率电子技术的发展，对高效率、高耐压和高温稳定性的半导体器件需求日益增长。SiC二极管作为第三代半导体技术的重要代表，凭借其卓越的电学和热学特性，在高功率、高频和高温应用中展现出显著优势。一、SiC二极管的基本概念SiC二极管是一种基于碳化硅（SiC）材料制造的半导体整流器件。与传统硅（Si）二极管相比，SiC二极管具有更高的击穿电压、更低的正向导通损耗以及更强的耐高温性能。这使其在电力电子、可再生能源、电动汽车及航空航天等领域占据重要地位。SiC材料具有较宽的带隙（约3.26 eV），高临界击穿场强（Si的约; http://www.szyxwkj.com/Article/sicejgdjgy_1.html

[常见问题解答]碳化硅双脉冲测试：解析正向与负向干扰的影响[ 2024-08-07 15:22 ]: 碳化硅 (SiC) 由于其卓越的物理和化学稳定性，在高功率和高温应用中表现出色。随着碳化硅设备在半导体行业中的广泛应用，双脉冲测试成为了一种关键的技术，用于评估这些设备在实际工作条件下的性能。双脉冲测试主要是用来观察和分析器件在快速开关过程中的动态特性，特别是正向和负向干扰的影响。一、正向串扰的产生与影响正向串扰通常在开关器件如晶体管开通时发生。当一个晶体管（例如Q1）的门极电压达到阈值，使其导通时，与之相邻的晶体管（例如Q2）可能会受到干扰。这种干扰起因于电流从一个晶体管（如D2）开始转移到已导通的晶体管（Q1）; http://www.szyxwkj.com/Article/thgsmccsjx_1.html

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