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[常见问题解答]静态特性对比分析:Si与SiC MOSFET在参数表现上的差异[ 2025-04-19 11:35 ]
在当今高性能电力电子领域,MOSFET被广泛应用于开关电源、电机控制和功率变换系统中。随着对高效率、高电压能力的需求不断增长,基于碳化硅材料(SiC)的MOSFET逐步进入工业和商用市场,成为传统硅基MOSFET(Si MOSFET)的有力替代者。1. 开启阈值电压 Vth 的比较在栅极驱动控制方面,MOSFET的开启阈值电压起着至关重要的作用。通常,Si MOSFET的Vth范围集中在2V到4V之间,而SiC MOSFET则略高,普遍在3V到5V之间。这意味着SiC器件在驱动电路设计上更倾向于使用高压栅极驱动信号
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[常见问题解答]如何选择自举电路中的电容值?关键参数解析[ 2025-03-17 10:18 ]
自举电路在高压栅极驱动应用中扮演着关键角色,它能提供稳定的高端驱动电压,提高功率开关的效率和可靠性。在设计自举电路时,自举电容的选型至关重要,它的容值大小、耐压要求及其与电路的匹配程度,都会影响驱动电路的性能。 一、自举电路的基本工作原理 自举电路广泛应用于高压栅极驱动电路,特别是在使用N沟道MOSFET或IGBT作为高端开关的情况下。由于MOSFET或IGBT的栅极需要一个高于源极的驱动电压(通常为VDD + 10V~15V),直接使用单一电
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