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[常见问题解答]高效开关电源开发需掌握的十大核心技术[ 2025-04-19 11:10 ]

随着电子设备向轻量化、高功率密度和低能耗方向不断发展，开关电源技术作为其中的核心支撑，其设计水平直接影响系统性能、产品稳定性与能效比。一、功率拓扑架构的合理选择不同的应用场景对电源转换结构有不同的要求。常见的有Buck、Boost、Flyback、Full-Bridge等形式，选择何种拓扑结构必须依据输入输出参数、变换效率以及可靠性要求综合判断。在高效率设计中，软开关拓扑（如LLC谐振）和双有源桥结构越来越受到关注。二、磁性元件的高频化优化在高频开关电源中，磁性元件的性能直接影响整体效率与尺寸。选用低损耗磁材、优化

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[常见问题解答]SiC MOSFET动态响应性能分析与优化[ 2025-04-10 11:51 ]

随着电力电子技术的迅猛发展，SiC MOSFET作为一种新型宽禁带半导体器件，因其高效能、高温稳定性以及较低的导通电阻，逐渐成为高频、高温及高功率密度应用中的首选元件。然而，SiC MOSFET的动态响应性能，特别是在高频开关操作下的表现，对于其在实际应用中的优劣具有至关重要的影响。因此，分析与优化SiC MOSFET的动态响应性能成为了提升其整体性能和应用潜力的关键。一、SiC MOSFET动态响应性能概述SiC MOSFET的动态响应性能主要指其在开关操作过程中，特别是在频繁的开通和关断过程中，表现出的电流、电

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[常见问题解答]3千瓦LLC拓扑中SiC MOSFET的集成优化路径[ 2025-04-07 12:10 ]

在高效电源系统快速发展的背景下，LLC谐振变换器凭借其高效率和低电磁干扰特性，逐渐成为中高功率密度应用的首选拓扑之一。而在实现高频率、高效率运行的过程中，碳化硅（SiC）MOSFET的集成应用正成为性能突破的关键路径之一。一、SiC MOSFET在3kW LLC中的技术适配性LLC拓扑本身以其软开关特性（ZVS或ZCS）有效降低开关损耗，适合高频操作。将SiC MOSFET引入该拓扑后，其具备的低导通电阻、高击穿电压和极低的反向恢复电荷特性，使其更适用于200kHz~500kHz以上的工作频率区间。相比传统硅基MO

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[常见问题解答]揭示双管正激效率瓶颈：设计与损耗的平衡难题[ 2025-03-25 14:45 ]

双管正激（Dual Active Bridge, DAB）变换器作为一种具有双向能量传输能力的高频功率变换拓扑，被广泛应用于电动汽车充电桩、储能系统、服务器供电模块、光伏逆变器以及直流微电网等中高功率场景中。DAB结构具有拓扑简洁、能量双向流动、适配软开关、高功率密度等优点，理论上转换效率可以达到96%甚至更高。然而，理想与现实之间总存在差距。即使采用先进控制策略与高性能器件，双管正激的实测效率仍常常低于设计预期。这背后隐藏着多个“效率杀手”，它们既来自器件本身的物理特性，也来自控制系统、P

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[常见问题解答]IGBT驱动光耦：提升功率转换效率的核心器件[ 2024-12-30 12:07 ]

IGBT（绝缘栅双极晶体管）在现代电力电子技术中已成为不可或缺的核心部件，其优异的绝缘性能以及作为IGBT驱动光的重要辅助器件，对于高效率、高功率密度的应用尤为重要。光耦合器的IGBT驱动的基本原理基于光的传输，利用发光二极管（LED）和光电晶体管进行信号和信号控制。当控制电路输入信号时，驱动光耦合器的LED发射光，光电接收器接收光信号，该信号被转换成电信号以控制IGBT的开关状态。这种工作方式不仅能够隔离控制电路中大功率电路的干扰，还可以有效提高系统的安全性和稳定性。一、信号隔离和安全保护在高压或大功率场景下，控

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[常见问题解答]功率半导体封装技术的发展趋势与挑战[ 2024-10-24 14:58 ]

功率半导体作为现代电子系统的核心元件，在各种电力电子应用中具有重要地位。随着技术的进步和市场需求的增加，功率半导体封装技术的发展趋于多元化，同时也面临着诸多挑战。本文介绍了当前功率半导体封装技术的发展趋势和主要挑战。一、封装技术发展的驱动力由于高效率和高密度的需求，封装技术的进步是功率半导体封装技术发展的主要驱动力之一。电动汽车等领域的功率器件随着可再生能源和工业的自动化程度不断提高，封装技术的创新变得至关重要。高功率密度设备需要有效的热管理，以确保高负载条件下的可靠性和耐用性。因此，封装技术需要具备更高效的散热能

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[常见问题解答]详解双升压拓扑结构中升压芯片功率计算公式[ 2024-07-29 15:52 ]

开关电源由于其高效和高功率密度，在电源领域广泛应用。然而，传统桥式整流和大电容滤波的开关电源功率因数通常在0.50-0.76之间，会对电网产生严重污染，成为电力公害。为了应对这一问题，国家技术监督局于1994年颁布了《电能质量公用电网谐波》标准GB/T14549-93。国际电工学会也在1988年修订了IEC555-2谐波标准，欧洲则制定了IEC1000-3-2标准。随着技术的进步，采用升压变换器结构的有源PFC电路在中大功率电源设计中成为主流，以满足谐波国标的要求。美芯晟凭借在电源模拟芯片行业的多年经验，推出了增强

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[常见问题解答]提高能效与稳定性：移相全桥DC/DC变换器的最新技术发展[ 2024-05-11 11:19 ]

一、引言在电力电子技术逐渐成熟的背景下，开关电源的发展趋势是朝向更轻、体积更小、高频化和效率更高的方向。为实现这些目标，本文采用了软开关技术，通过使开关管实现零电压开通或零电流关断，既提高了效率，也减少了电磁干扰。此外，研究发现，配备饱和电感的移相全桥DC/DC变换器不仅能更有效地实现零电压切换，还能减少占空比的损失。二、设计目标与应用现状目前，高功率密度和大容量是变换器技术发展的关键方向。在多数应用场景中，几百伏的直流电压通常是通过较低电压转换得来的，以供给逆变器或负载使用。然而，在DC/DC变换器处于低压高电流

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[技术文章]AO4468 典型应用电路[ 2024-05-09 15:19 ]

AO4468是一款N沟道场效应管，具有广泛的应用场景和参数特点。下面将详细介绍其应用场景和参数特点。一、应用场景：1. 电源管理：在电源管理电路中，AO4468常被用作低压、低功耗的开关元件，用于稳压、开关和逆变等功能。其低导通电阻和低开关损耗使其在高效率的电源转换中得到广泛应用。2. 电机驱动：在电机控制领域，AO4468可用作功率开关，用于控制电机的启停和速度调节。其高功率密度和优秀的电性能使其成为电机驱动系统的重要组成部分。3. LED照明：作为LED驱动电路中的开关元件，AO4468能够提供稳定的电流输出，

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[常见问题解答]从基础到高阶：MOS管在开关电源应用中的全面指南[ 2024-04-29 10:51 ]

金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在现代电子技术中扮演着不可或缺的角色，特别是在开关电源的设计与开发中。作为电力转换和电能管理的核心部件，开关电源的性能与效率极大依赖于对MOSFET的恰当选择与运用。本文深入分析了MOSFET在开关电源中的关键职能，并探讨其关键性能参数对电源系统整体表现的具体影响。在开关电源的设计领域内，MOSFET的价值不可小觑。其卓越的高频开关功能允许在高频率下进行有效的能量转换，促进设备小型化，提高功率密度和能效。MOSFET之所以关键，在于其快速开关属性与低驱动损耗的特性，这些都

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[常见问题解答]TL431在开关电源反馈回路中的应用设计介绍|壹芯微[ 2022-03-02 17:19 ]

TL431在开关电源反馈回路中的应用设计介绍|壹芯微随着半导体行业的发展，开关电源的应用场合不断拓宽。同时，对开关电源的要求也不断提高。高功率密度、小体积、低价格成为开关电源行业的趋势。在半导体技术迅猛发展的...

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[根栏目]电源模块设计面临的挑战及未来的发展趋势[ 2021-01-08 17:23 ]

电源模块设计面临的挑战及未来的发展趋势电源模块是开关电源的一个发展趋势，随着电源技术的发展，使开关电源实现模块化成为可能。电源在系统设计中非常重要，因为电源如果不好就会导致电子设备系统的不稳定。下面来探讨下电源模块的设计，及对未来发展趋势进行简要分析。近年来，电源模块的需求持续向高功率密度、高效率和高电流低电压方向发展。隔离模块的设计主要还是采用单端反激、单端正激、正反激组合、推挽、桥式变换等传统的电路拓扑，非隔离模块采用BUCK、BOOST等。关于高效率方面，为了提高效率可以结合各种软开关技术，包括无源无损软开关

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[常见问题解答]DC/DC电源模块的基础拓扑知识普及[ 2021-01-08 17:03 ]

DC/DC电源模块的基础拓扑知识普及电源模块主要分为AC-DC和DC-DC两种。对于AC-DC电源模块，无论是网络上还是实际电源设计上都有不少，倒是DC-DC电源模块的相关资料较少。本文对DC-DC电源模块拓扑电路进行梳理，是一篇基础的电源知识类文章。这里说的DC-DC电源模块指工业、轨道交通、通信、军事等领域用的嵌入式电源模块，这类电源追求的是高功率密度、高效率及高可靠性。就目前而言，对成本虽有要求，但远没有常规的AC-DC电源模块那么敏感。且为了达到高性能，一般不会像AC-DC电源模块那样，DC-DC电源模块在

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[常见问题解答]1200V/30A碳化硅(SiC)肖特基二极管知识[ 2020-06-03 17:16 ]

1200V/30A碳化硅(SiC)肖特基二极管知识碳化硅（SiC）是一种高性能的半导体材料，基于SiC的肖特基二极管（SiC Schottky Diode）具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在电力电子技术领域打破硅的极限，成为新能源及电力电子的首选器件。肖特基二极管原理图示例FFSH30120ADN碳化硅肖特基二极管没有开关损耗，利用新的半导体材料 —— 碳化硅（SiC）提升了硅二极管的系统效率，支持更高的工作频率，并且有助于提高功率密度，降低系统尺寸/成本。碳化硅肖特

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[常见问题解答]高性能(SiC)肖特基二极管的特性资料[ 2019-10-09 14:02 ]

高性能肖特基二极管材料碳化硅（SiC）是一种高性能的半导体材料，基于SiC的肖特基二极管（SiC Schottky Diode）具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在电力电子技术领域打破硅的极限，成为新能源及电力电子的首选器件。肖特基二极管电路符号碳化硅肖特基二极管特性安森美半导体（onsemi）推出的FFSH30120ADN碳化硅肖特基二极管没有开关损耗，利用新的半导体材料 —— 碳化硅（SiC）提升了硅二极管的系统效率，支持更高的工作频率，并且

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[常见问题解答]增强型沟道IGBT与场充电控制二极管[ 2019-09-28 14:16 ]

GBT和二极管性能的下一次飞跃未来一代IGBT模块将采用增强型沟道ET-IGBT和场充电提取（FCE）二极管，能够提供更高水平的电气性能，包括低损耗、良好的可控性、高耐用性和软二极管反向恢复等方面。尽管，过去二十年绝缘栅双极晶体管（IGBT）和反并联二极管已经经历了重大突破，相对于导致器件整体性能明显飞跃的器件工艺和设计理念，进一步开发工作正在进行中，为的是实现新水平的更高功率密度、更好的操控性和耐用性。在这篇文章中，我们首先将简要地讨论目前IGBT和二极管的发展趋势，同时专注于下一代技术；即增强型沟道IGBT（E

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[常见问题解答]cool mos作用是什么-散热措施有什么方法[ 2019-06-14 10:47 ]

壹芯微作为国内专业生产二三极管的生产厂家,生产技术已经是非常的成熟,进口的测试仪器,可以很好的帮组到客户朋友稳定好品质,也有专业的工程师在把控稳定质量,协助客户朋友解决一直客户自身解决不了的问题,每天会分享一些知识或者客户的一些问题,今天我们分享的是,cool mos作用是什么-散热措施有什么方法,请看下方COOLMOS近来，LLC拓扑以其高效，高功率密度遭到广阔电源规划工程师的喜爱，可是这种软开关拓扑对MOSFET的要求却超过了以往任何一种硬开关拓扑。特别是在电源启机，动态负载，过载，短路等情况下。CoolMOS

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