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[常见问题解答]MOS管与三极管做开关时的性能差别及适用场景全面对比[ 2025-04-11 11:03 ]
在现代电子设计与电路开发过程中,MOS管(场效应管)和三极管(双极型晶体管)都是极为重要的半导体器件,尤其是在开关控制电路中,两者经常会被放在一起做对比。但很多工程师或初学者常常会疑惑:MOS管和三极管在开关场景下到底有什么差别?实际应用时又该如何正确选择?一、驱动特性上的核心差异MOS管属于电压控制型器件,驱动它的关键在于栅极和源极之间建立足够的电压差,通常业内称为Vgs。当Vgs大于器件本身的阈值电压(Vth)时,MOS管才能稳定导通。这意味着MOS管对控制电流的需求极低,几乎只需要提供电压就能控制大功率通断。
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[常见问题解答]音响供电系统中MOSFET的驱动特性与电源效率优化[ 2025-04-07 11:42 ]
在现代音响设备中,供电系统性能的优劣直接影响着音频还原的稳定性与系统的功耗表现。特别是在高性能音响系统中,如何有效控制功率器件的导通损耗与开关行为,已成为决定系统能效的关键因素。作为音响电源中核心的开关元件,MOSFET的驱动特性与控制策略直接牵动着整体供电效率的发挥。一、MOSFET驱动特性的核心要点MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)作为一种电压驱动型器件,其栅极电压的控制决定其导通与截止状态。在音响电源中,大多数采用的是N沟道增强型MOSFET,因其导通电阻低、开关速度快,更适用于高频DC-DC转换或功率
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[常见问题解答]开关电源IGBT绝缘栅双极晶体管驱动保护知识[ 2019-10-29 11:45 ]
开关电源IGBT绝缘栅双极晶体管驱动保护IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点,又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。摘要:对IGBT栅极驱动特性、栅极串联电阻及其驱动电路进行了探讨。提出了慢降栅压过流保护和过电压吸收的有效方法。 (注意现在新型IGBT栅极驱动特性要比以前生产的好许多,下面的电路图只能作参考。)IGBT是电压控制型器件,在它的
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