搜索资讯

[常见问题解答]EEPROM与FLASH存储器：原理差异与应用场景对比[ 2024-12-18 11:13 ]

存储技术的选择在现代电子设备中非常重要，尤其是在需要大量数据存储和高可靠性的场景中。然而，EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）和FLASH存储器是两种常见的非易失性存储器类型，两者都可以在断电后保留数据。工作原理、性能特点、适用场景等方面存在显著差异。本文将比较EEPROM和闪存之间的主要区别，并讨论每种存储器的不同应用场景。一、工作原理的差异EEPROM存储器的基本结构由多个浮栅晶体管组成。浮置栅极是电隔离的导电区域，它捕获并保留电子，从而改变晶体管的阈值电压。写入数据时，通过施加高电压将电子注入到浮栅中，从

http://www.szyxwkj.com/Article/eepromyfla_1.html

[常见问题解答]ADC类型对比：适用于不同应用场景的优缺点分析[ 2024-11-01 15:29 ]

ADC（模数转换器）是现代电子系统中的重要组件，用于将模拟信号转换为数字信号，以供计算机和微处理器处理。不同类型的ADC具有不同的性能和成本，因此在选择正确的ADC时，了解不同类型的优缺点尤为重要。在本文中，我们将一一分析一些常见类型的ADC。一、逐次逼近型ADC逐次逼近型ADC因其精度高、功耗低而广泛应用于各种工业产品和消费电子产品。1. 优点高精度：SAR ADC通常具有高分辨率，使其成为需要高精度的测量应用的理想选择，例如医疗监测和设备。低功耗：与闪存ADC相比，SAR ADC消耗的能量更少，适合需要节能的电

http://www.szyxwkj.com/Article/adclxdbsyy_1.html

[技术文章]STM32F030K6T6 典型应用电路[ 2024-04-25 10:54 ]

STM32F030K6T6 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款入门级32位微控制器，属于STM32F0系列。它基于ARM Cortex-M0处理器，主要适用于需要成本效益、低功耗和高性能的各种应用。首先，STM32F030K6T6 的核心频率可达48 MHz，集成了32KB的闪存和4KB的SRAM，支持广泛的外设接口，如SPI、I2C、USART、以及多达18个GPIO引脚。这些特性使得它非常适合用于家用电器控制、简单的嵌入式系统、以及个人电子设备中。其次，STM32F030K6T6 提

http://www.szyxwkj.com/Article/stm32f030k_1.html

[行业资讯]STM32F103R8T6TR中文资料PDF介绍与封装[ 2022-02-14 17:54 ]

STM32F103R8T6TR中文资料PDF介绍与封装描述STM32F103R8T6TR包含以72MHz频率运行的高性能ARMCortex-M332位RISC内核、高速嵌入式存储器(高达128KB的闪存和高达20KB的SRAM)，以及连接到两条APB总线的各种增强型I/O和外围设备。此器件提供两个12位ADC、三个通用16位定时器和一个PWM定时器，以及标准和高级通信接口：最多两个I²C和SPI、三个USART、一个USB和一个CAN。2.0至3.6V电源。它可用于–40至+85°C温

http://www.szyxwkj.com/Article/stm32f103r_1.html

[常见问题解答]非易失性存储器和易失性存储器的区别介绍[ 2022-01-19 18:23 ]

非易失性存储器和易失性存储器的区别介绍近年来，非易失性存储器(nonvolatilememory，NVM)技术得到了快速发展。非易失性存储器主要分为块寻址和字节寻址两类。以闪存(flashmemory)为代表的块寻址非易失性存储器已经广泛应用于嵌入式系统、桌面系统及数据中心等系统中。字节寻址的非易失性存储器主要包括相变存储器(phasechangememory，PCM)、阻变存储器(resistiverandom-accessmemory，RRAM)、自旋矩存储器(spin-transfertorqueRAM，ST

http://www.szyxwkj.com/Article/fysxccqhys_1.html

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

相关搜索/Related search

壹芯微资讯中心

导航/Navigation

地址/Address

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

相关搜索/Related search

壹芯微资讯中心

导 航/Navigation

地 址/Address

导航/Navigation

地址/Address