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[常见问题解答]MOSFET与JFET入门指南：工作机制与实际应用[ 2025-03-13 14:46 ]

在当今电子技术领域，场效应晶体管（FET）是一种重要的半导体器件，它利用电场调控电流流动。其中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和JFET（结型场效应晶体管）是最常见的两类FET。由于它们具备高输入阻抗、低功耗等特点，被广泛应用于信号放大、电子开关、功率控制及通信电路等多个领域。一、MOSFET与JFET的结构与工作原理MOSFET和JFET的基本原理都依赖于"场效应"，即利用栅极电压来调节源极（S）与漏极（D）之间的电流流动。但在结构和控制方式上，两者存在显著区别。MOSFET通过

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[常见问题解答]场效应晶体管工作原理与命名方法详解[ 2024-09-28 15:26 ]

在现代电子技术中，场效应晶体管（Field-Effect Transistor, FET）作为关键元件之一，广泛应用于各种电路设计中。其独特的电压控制特性和多样化的应用使其在电子设备中不可或缺。本文将深入探讨场效应晶体管的工作原理以及其命名方法，通过实际应用场景来阐述其重要性和使用方式。一、场效应晶体管的基本结构场效应晶体管主要由三个端口组成：栅极（Gate）、漏极（Drain）和源极（Source）。在这三端口之间，存在一个半导体沟道，通常由硅材料制成。根据不同的结构，场效应晶体管可以分为结型场效应晶体管（JFE

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[常见问题解答]如何选择和使用结型场效应晶体管（JFET）？[ 2024-08-20 14:31 ]

在选择和使用结型场效应晶体管（Junction Field-Effect Transistor, 简称JFET）时，需要考虑几个关键因素，以确保器件在电子电路中的正确应用和性能发挥。JFET因其高输入阻抗和低噪声特性，被广泛应用于信号放大、开关和电压调节等领域。一、了解JFET的基本类型JFET主要有两种类型：N沟道和P沟道。这两种类型的主要区别在于它们的导电沟道和控制电压的极性：- N沟道JFET：在N型半导体中形成沟道，使用负栅极电压控制，适合于需要高电子流动性的应用。- P沟道JFET：在P型半导体中形成沟道

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[常见问题解答]FET输入运算放大器介绍[ 2022-12-17 14:49 ]

结型场效应晶体管可以提供非常低的输入电流，当他们在一个阶段使用的输入运算放大器的环境温度小于约 70'C。然而，弥漫在同一芯片上的高品质的FET 的放大器，因为它是没有简单的事情，有没有单片FET 放大器现已上市。尽管如此，与单片电路一起使用分离式FET对创造一个良好的场效应管放大器是可能的。下面的电路图中，有一个匹配的场效应管作为摆在前面的综合的源追随者对运算放大器连接。复合电路的增益大致相同集成电路本身和团结的增益与30 pF的电容是补偿。该电路叶虽然它的工作原理以及一个求和放大器要求高共模抑

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[常见问题解答](MOS)场效应管日常使用注意事项[ 2021-08-28 10:14 ]

(MOS)场效应管日常使用注意事项场效应管的注意事项(1)为了安全使用场效应管，管子的功耗、最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等不得超过限值。(2)使用每种类型的场效应管时，必须严格按要求的偏置与电路连接，并观察场效应管的偏置极性。例如，结型场效应晶体管的源漏之间有一个PN结，N沟道晶体管的栅极不能正偏; P沟道晶体管的栅极不能负偏压，依此类推。(3)由于MOS场效应管的输入阻抗极高，在运输和储存过程中必须将引脚短接，并且必须采用金属屏蔽包装，防止栅极被外界感应电位击穿.特别要注意的是，MOS场效应管不能放在塑料

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[常见问题解答]增强型绝缘栅场效应管工作原理以及耗尽型MOS场效应管[ 2020-12-05 17:04 ]

增强型绝缘栅场效应管工作原理以及耗尽型MOS场效应管绝缘栅场效应晶体管工作原理和特性增强型绝缘栅场效应管，场效应管(MOSFET)是一种外形与普通晶体管相似，但控制特性不同的半导体器件。它的输入电阻可高达1015 W，而且制造工艺简单，适用于制造大规模及超大规模集成电路。场效应管也称为MOS管，按其结构不同，分为结型场效应晶体管和绝缘栅场效应晶体管两种类型。在本文只简单介绍后一种场效应晶体管。绝缘栅场效应晶体管按其结构不同，分为N沟道和P沟道两种。每种又有增强型和耗尽型两类。下面简单介绍它们的工作原理。1、增强型

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[常见问题解答]MOS场效应管判断好坏以及判断注意事项[ 2020-12-05 16:40 ]

MOS场效应管判断好坏以及判断注意事项MOS场效应管如何判断好坏（一）结型场效应晶体管的检测1．判别电极与管型用万用表R×100档或R×1k档，用黑表笔任接一个电极，用红表笔依次触碰另外两个电极。若测出某一电极与另外两个电极的阻值均很大（无穷大）或阻值均较小（几百欧姆至一千欧姆），则可判断黑表笔接的是栅极G，另外两个电极分别是源S和漏极D。MOS场效应管判断好坏，在两个阻值均为高阻值的一次测量中，被测管为P沟道结型场效应晶体管；在两个阻值均为低阻值的一次测量中，被测管为N沟道结型场效应晶体管

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[常见问题解答]结型场效应管(JFET)知识-工作特性-结构和图形符号[ 2020-03-12 14:31 ]

结型场效应管(JFET)知识-工作特性-结构和图形符号什么是结型场效应管（JFET）结型场效应晶体管（Junction Field-Effect Transistor，JFET）JFET是在同一块N形半导体上制作两个高掺杂的P区，并将它们连接在一起，所引出的电极称为栅极g，N型半导体两端分别引出两个电极，分别称为漏极d，源极s。结型场效应晶体管是一种具有放大功能的三端有源器件,是单极场效应管中最简单的一种,它可以分N沟道或者P沟道两种。结型场效应管（JFET）的工作特性对于耗尽型的JFET，在平衡时(不加电压)时，

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