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[常见问题解答]CMOS知识普及-分析CMOS电路中的阱[ 2020-11-10 17:01 ]
CMOS知识普及-分析CMOS电路中的阱CMOS电路中的阱在CMOS电路的工艺结构中,应用在衬底上形成反型的阱是一大特点。已有的多种CMOS电路阱的类别,有p阱、n阱、双阱及倒转阱等(图4-3-3)。CMOS电路中的阱-p阱在a型衬底上,以离子注入掺杂使阱区域有足够的浓度,以补偿衬底上的n型掺杂并形成一个p阱区。n型起始材料的掺杂浓度也必须保证能使在其上制备的p沟器件特性符合要求(一般而言,其浓度约3X1014~1X1015 /cm3)。p阱的掺杂浓度也必须高于n型衬底浓度5~10倍。掺杂过浓也将损害n沟器件的性能
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