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[常见问题解答]如何减少开关电源中MOS管的损耗以提升效率[ 2024-11-05 16:00 ]
降低开关电源中MOS管损耗是提高电源效率的重要途径。MOS管开关时的损耗是功率转换的重要因素,直接影响整个电源的能效。本文从各个角度详细介绍了如何减少这些损耗、提高效率,包括电路等具体的优化方法。损耗、开关损耗、驱动损耗。一、MOS管导通损耗优化导通损耗主要由MOS管(ON)的导通电阻(RDS)决定。当负载电流流过传导通道时,电阻器上会发生有效热损失。此类损耗涉及选择 RDS(on) 较低的 MOS 管以降低阻抗,同时考虑温度系数影响。低导通电阻材料和器件结构还可以显著降低线路损耗,因为它们允许MOS管在工作温度下
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[常见问题解答]了解贴片电阻是用哪些材料组成[ 2021-01-16 14:30 ]
了解贴片电阻是用哪些材料组成贴片电阻耐潮湿,高温,温度系数小,其普遍应用在SMT。插件电阻,电阻器在日常生活中一般被称为电阻。在电路上连接电阻的限流元件,电阻器的电阻值固定的通常是2根导线,可以限制通过与其连接的分支路径的电流的大小。精密电阻阻值不能改变的称为固定电阻器。精密电阻厂家,阻值可变的称为电位器或可变电阻器。理想的电阻器是线性的,即通过电阻器的瞬时电流与外加瞬时电压成正比。用于分压的可变电阻器。裸露的电阻体上压着1~2个可动金属接点。接点位置决定电阻体的任意一端和接点之间的电阻值。而贴片电阻材料是由哪些材
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[常见问题解答]电阻符号及工作原理介绍[ 2021-01-16 14:28 ]
电阻符号及工作原理介绍导体中对电流阻碍起作用的被称为电阻。电阻代号:R电路符号:符号1符号2电阻单位:Ω(欧姆)电阻计算:(1)R=U/IU是电阻两端阻值,I为通过电阻的电流。(2)串联电路阻值R=R1+R2+......+Rn并联电阻阻1/R=1/R1+1/R2+......+1/Rn(3)R=ρ*L/SL为电阻长度,S为电阻横截面积,ρ为电阻率电阻原理:电流是自由运动的电子形成,而电阻材料中的正离子会与电子发生激烈的碰撞,这种碰撞会使得电子运动速度变慢,从而导致电路电流减小,标识这种阻碍的物理量就称作电阻。当电
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[常见问题解答]V-FET或功率场效应管(MOS管)知识分享[ 2020-04-15 15:01 ]
V-FET或功率场效应管(MOS管)知识分享功率MOS管工作原理功率MOS管-N通道功率MOS管通常采用V型配置,如图所示。这就是为什么该器件有时被称为V-MOS管或V-FET。如图所示,V形切口从器件表面穿N +,P和N~层几乎渗透到N +衬底。N +层是重掺杂的低电阻材料,而N +层是轻掺杂的高电阻区域。二氧化硅介电层覆盖水平表面和V形切割表面。绝缘栅极是在V形切口中沉积在SiO 2上的金属膜。源极端子通过SiO 2层与上N +和P- 层接触。N +衬底是器件的漏极端子。V-MOS管是一个E模式FET,漏极和源
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[常见问题解答]热敏电阻的参数和特性[ 2020-03-17 10:37 ]
热敏电阻的参数和特性热敏电阻参数一、热敏电阻参数热敏电阻的主要参数有十余项:标称电阻值、使用环境温度(最高工作温度)、测量功率、额定功率、标称电压(最大工作电压)、工作电流、温度系数、材料常数、时间常数等。①标称阻值Rc:一般指环境温度为25℃时热敏电阻器的实际电阻值。②实际阻值RT:在一定的温度条件下所测得的电阻值。③材料常数:它是一个描述热敏电阻材料物理特性的参数,也是热灵敏度指标,B值越大,表示热敏电阻器的灵敏度越高。应注意的是,在实际工作时,B值并非一个常数,而是随温度的升高略有增加。④电阻温度系数αT:它
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[常见问题解答]高压双极型晶体管驱动知识[ 2019-09-16 11:46 ]
在离线反激变换器中用到高压双极型晶体管的地方 ,也许会碰到tl 800V 级别的电 压。V阳额定值在 400V 到 1000V 之间的高压晶体管与低压三极管的对应性能会有点 不同。这是由于高压器件的 结构与低压器件的结构有根本的不同 。为了获得更有效 、更高速和更可靠的开关频率效果,我们应该使用正确的基极驱动电流波形。为了很好地解释宫,简单 γ解荷压双极型场效应晶体管的物理特性是有用的一般情况下高压器件的集电极部分有一块比较厚 的高阻材料区域 ,同时在基 射 区是低阻材料。由于这种电阻材料的物理结构 ,如果采用不合
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