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[常见问题解答]碳化硅MOSFET栅极电荷陷阱问题剖析:测试思路与器件优化建议[ 2025-04-16 14:43 ]
在宽禁带半导体器件日益普及的趋势下,碳化硅MOSFET由于具备高耐压、高温稳定性和低导通损耗等优势,成为高频高效功率转换系统中的关键元件。然而,其栅极氧化层与界面处的电荷陷阱问题,正成为影响器件长期可靠性和动态性能的核心难题之一。一、电荷陷阱问题的形成机理碳化硅MOSFET的栅极结构通常采用SiO?作为绝缘层,但由于SiC与SiO?之间存在较多的界面态和缺陷,这些缺陷在器件工作中易形成电子或空穴陷阱,导致栅极电荷漂移,进而引起阈值电压的不稳定变化。这种电荷积累不仅改变栅控行为,还可能在高温、高压环境下加剧器件的劣化
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