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[常见问题解答]SiC器件开关性能受系统寄生参数影响的深入探讨[ 2024-09-04 14:36 ]
随着碳化硅(SiC)技术的不断成熟和推广,其在高压电力电子设备中的应用日益增加。SiC器件因其能在高温、高压和高频率条件下工作而受到青睐。然而,系统内部的寄生参数,如寄生电容和寄生电感,对SiC器件的开关性能有着显著影响。本文通过详细分析,探讨这些系统寄生参数是如何影响SiC器件的性能,尤其是在开关操作中的具体表现。一、寄生电感的影响在电力电子转换系统中,寄生电感主要来源于电连接和布线。在SiC MOSFETs和二极管开关时,寄生电感可以引起显著的电压超调,从而对器件造成额外的电压应力。当开关器件尝试快速切换时,这
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