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[常见问题解答]高压SiC MOSFET栅氧老化行为研究及加速测试方法探索[ 2025-04-16 14:55 ]
在高电压、高温、高频的电力电子应用中,碳化硅MOSFET因其出色的材料特性逐渐取代传统硅基器件,成为高压领域的核心选择。然而,器件的长期可靠性依然是制约其大规模应用的关键因素,特别是栅极氧化层的老化行为及其导致的性能退化问题,已成为研究和工业界共同关注的技术焦点。一、SiC MOSFET栅氧老化机制概述相较于硅器件,SiC MOSFET采用热氧化工艺形成的栅极氧化层存在较多界面缺陷,源于碳原子在氧化过程中的难以完全去除。这些残留的碳相关缺陷在高场高温条件下会加速电子捕获,导致阈值电压漂移、栅漏电流上升,严重时甚至引
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[常见问题解答]功率半导体封装技术的发展趋势与挑战[ 2024-10-24 14:58 ]
功率半导体作为现代电子系统的核心元件,在各种电力电子应用中具有重要地位。随着技术的进步和市场需求的增加,功率半导体封装技术的发展趋于多元化,同时也面临着诸多挑战。本文介绍了当前功率半导体封装技术的发展趋势和主要挑战。一、封装技术发展的驱动力由于高效率和高密度的需求,封装技术的进步是功率半导体封装技术发展的主要驱动力之一。电动汽车等领域的功率器件随着可再生能源和工业的自动化程度不断提高,封装技术的创新变得至关重要。高功率密度设备需要有效的热管理,以确保高负载条件下的可靠性和耐用性。因此,封装技术需要具备更高效的散热能
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[技术文章]FDD86250 典型应用电路[ 2024-05-16 15:09 ]
FDD86250是一款功率场效应晶体管(MOSFET),常见于各种电力电子应用中。它的应用场景非常广泛,包括但不限于电源管理、电机驱动、逆变器等领域。下面将详细介绍FDD86250的参数特点以及应用场景。一、参数特点:- 低导通电阻: FDD86250具有低导通电阻特性,这意味着在导通状态下,可以实现较低的电压降,从而减少功耗和提高效率。- 高开关速度: FDD86250具有快速的开关速度,这使其在高频应用中表现出色,能够实现快速的开关操作,提高系统响应速度。- 低驱动电压: 由于FDD86250的低阈值电压,它需
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