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[常见问题解答]IGBT散热原理及导热机理深度解析[ 2025-02-11 12:02 ]: 绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT）是一种结合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）与双极型晶体管（BJT）优点的功率半导体器件。它在高压、高频、高效能的电力电子系统中应用广泛，如变频器、电动汽车驱动、电力变换器等。然而，IGBT在工作过程中会产生大量热量，如何有效管理这些热量成为确保器件长期稳定运行的关键。一、IGBT的热量产生机制IGBT在工作时主要的能量损耗会以热的形式释放，主要包括以下几类：1. 开通损耗：当IGBT从关断状态切换到导; http://www.szyxwkj.com/Article/igbtsryljd_1.html

[技术文章]HCPL2631 典型应用电路[ 2024-05-16 16:00 ]: HCPL2631 是一款广泛应用于工业控制、电力电子和通信等领域的光耦合器件。它具有许多特点和应用场景，下面将详细介绍。一、应用场景：1. 工业控制系统：在工业自动化领域，HCPL2631 可用于隔离和传输各种传感器信号，如温度、压力和流量传感器的输出信号。它可确保信号的准确传输，并提供电隔离，以保护控制系统免受电气干扰的影响。2. 电力电子：在电力变换器、逆变器和稳压器等电力电子设备中，HCPL2631 可用作驱动器件，将控制信号从控制电路隔离开来，确保系统的稳定性和安全性。它还可以用于电力系统的隔离和故障检测。; http://www.szyxwkj.com/Article/hcpl2631dx_1.html

[常见问题解答]绝缘栅双极型晶体管的原理-分类优势和缺点[ 2019-09-19 11:24 ]: IGBT近年来，随着双极型晶体管模块和MOSFET的出现，节能、设备小型化、轻量化等要求的提高，电动机可变驱动装置和电子计算机的备用电源装置等使用交换原件的各种电力变换器也迅速发展起来。但是电力变换器方面的需求，并没有通过双极型晶体管模块和MOSFET得到完全的满足。双极型功率晶体管模块虽然可以得到高耐压、大容量的元件，但是却有交换速度不够快的缺陷。而MOSFET虽然交换速度够快了，但是存在着不能得到高耐压、大容量等的缺陷。绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT); http://www.szyxwkj.com/Article/jyzsjxjtgd_1.html

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