搜索资讯

[常见问题解答]为什么移相全桥出现占空比紊乱？常见驱动问题全梳理[ 2025-04-16 11:03 ]

在中高功率变换电路中，移相全桥拓扑因具备高效率、低电磁干扰等优势，被广泛应用于工业电源、电动汽车充电、逆变器等场合。然而，在系统调试或长期运行过程中，工程师常会遇到一个棘手的问题：占空比紊乱。此类现象不仅影响输出波形的质量，严重时还可能引发电路的热失控或驱动异常。究其原因，驱动系统中的问题往往是引发占空比异常的关键所在。一、驱动逻辑信号失配在移相全桥电路中，四个功率开关器件（如MOSFET或IGBT）需要按照严格的时序进行控制。如果控制信号存在时间重叠或缺失，如上下桥臂未能保持足够的死区时间，会造成桥臂短路，或者导

http://www.szyxwkj.com/Article/wsmyxqqcxz_1.html

[常见问题解答]解析整流桥失效原因：4种常见故障模式与防护策略[ 2025-04-02 12:06 ]

在电力电子系统中，整流桥是整流电路的核心部件，其性能直接影响到整个系统的可靠性和稳定性。然而，整流桥的失效（通常被称为“炸机”）时常发生，给设备的安全性和长期使用带来严重威胁。了解整流桥常见的故障模式，并采取有效的防护措施，是确保电力电子设备正常工作的关键。一、过电流击穿1. 失效原因：过电流现象通常由负载短路、电网波动、突加负载或突发性冲击电流引起。当电流超过整流桥额定电流时，整流二极管的PN结可能因过热而发生热失控，最终导致物理破裂。特别是突如其来的大电流冲击，可能会使整流桥的二极管瞬间

http://www.szyxwkj.com/Article/jxzlqsxyy4_1.html

[常见问题解答]稳压管电路中限流电阻的关键作用及其选值原则解析[ 2025-03-26 16:12 ]

在低压直流供电系统中,稳压管(Zener Diode)被广泛用于稳压电路。这是因为它们的结构简单、可靠性和成本低廉。稳压管本身可以保持恒定电压,但如果没有限流电阻,其在实际应用中将面临极高的失效率和不稳定性。因此,限流电阻在任何稳压管电路设计中都是必不可少的。一、限流电阻在稳压管电路中的基本功能限流电阻一般串联在稳压管和电源之间，其最根本的作用是限制通过稳压管的电流。我们知道，稳压管在反向击穿时电压恒定，但其承受的电流必须控制在允许范围内，否则极易引起热失控，导致器件永久性损坏。除了限制电流外，限流电阻还承担了如下

http://www.szyxwkj.com/Article/wygdlzxldz_1.html

[常见问题解答]旁路二极管的测试方法及热失控机理详解[ 2025-01-13 12:15 ]

随着光伏技术的快速发展，光伏组件的寿命逐渐成为用户关注的焦点。旁路二极管是太阳能发电系统的关键元件，其作用是保护光伏组件免受热斑效应的影响，保证系统的安全。为了进一步提高光伏系统的运行效率，旁路二极管的测试方法和热失控机理的研究尤为重要。一、如何测试旁路二极管在光伏系统测试期间，旁路二极管的热性能是评估其可靠性的关键。根据IEC62790:2020标准，旁路二极管测试通常包括以下步骤：1. 环境室温度稳定性测试测试样品放置在环境室中，温度逐渐升至30°C ±。记录2℃、50℃±2

http://www.szyxwkj.com/Article/plejgdcsff_1.html

[常见问题解答]二极管过载的原因及预防方法详解[ 2024-12-16 11:16 ]

二极管是电子电路中重要的半导体元件。它们在直流控制、整流和信号调节等应用中发挥着核心作用。但如果二极管在长期使用过程中设计和保护不当，则存在因过载而损坏的风险。本文将详细讲解二极管过载的原因以及如何预防，以便更好地了解和避免这一问题。一、二极管过载的原因1. 超过额定电流每个二极管都有一个最大正向电流 (IF) 值。电流超过此值可能会损坏二极管的内部结构。过载的常见原因包括电源设计不当、过早的电源调节或临时电源浪涌。如果电流继续超过二极管的最大容差，二极管内的结温将会升高，最终导致热失控并损坏二极管。2. 反向电压

http://www.szyxwkj.com/Article/ejggzdyyjy_1.html

[常见问题解答]MOS管常见故障及其解决方案解析[ 2024-12-05 10:55 ]

MOS管（场效应晶体管）广泛应用于高效电源管理、电机驱动、信号放大等各个领域。然而，在其运行过程中，可能会出现各种常见的错误，这不仅会影响电路的性能，还会导致器件发生故障。为了确保电路稳定性并提高系统可靠性，了解这些错误的原因并找到有效的解决方案非常重要。一、MOS管过热故障过热是MOS管最常见的故障之一，部分电能因内阻而转化为热量。如果散热做得不好，过高的温度会降低MOS管的性能，甚至损坏MOS管。不仅降低开关速度，还会引起热失控，导致MOS管失效。解决方案：1. 选择低导通电阻：选择导通电阻（Rds(on)）较

http://www.szyxwkj.com/Article/mosgcjgzjq_1.html

[常见问题解答]双极性晶体管技术的创新分析与应用领域[ 2024-05-08 10:42 ]

在20世纪中期，尽管锗晶体管因其较低的截止电压（通常约0.2伏特）而广泛使用于某些特定应用中，硅晶体管因其更高的温度稳定性和更广泛的地球储量（位列氧之后）而逐渐取代了锗。早期，双极性晶体管主要由锗制成，但锗的主要缺陷是容易发生热失控，这是因为锗的禁带宽度较窄，对工作温度的要求相对更严格。随着场效应管技术，尤其是CMOS技术的发展，由于其低功耗特性，这类器件开始在数字集成电路领域占据主导地位，从而使得双极性晶体管的应用频率有所下降。然而，双极性晶体管在模拟电路和射频电路中依然扮演着不可或缺的角色，特别是在高频和功率控

http://www.szyxwkj.com/Article/sjxjtgjsdc_1.html

[常见问题解答]详说旁路二极管热失控测试方法[ 2020-09-24 18:20 ]

详说旁路二极管热失控测试方法什么是旁路二极管热失控？作为太阳能组件中的旁路二极管，在反向偏置电流增加的情况下，温度会升高。如果旁路二极管在反向偏置时会产生持续漏电流造成二极管结温增加，最差的情况是温升超过了接线盒的冷却能力。温升和漏电流造成旁路二极管损坏的现象叫做热失控。旁路二极管热失控测试方法1.测试条件a.组件温度：90±2℃（屋顶类组件），75±2℃（开放支架类）b.正向电流：1.25倍STC下组件短路电流c.反向偏置电压：数值等同STC下组件开路电压2.样品要求a.接线盒样品需粘

http://www.szyxwkj.com/Article/xsplejgrsk_1.html

[常见问题解答]FET-场效应晶体管偏置电路类型和工作原理[ 2020-04-21 11:54 ]

FET-场效应晶体管偏置电路类型和工作原理与BJT-双极结型晶体管不同，FET-场效应晶体管不会发生热失控，正如我们已经讨论过的那样。然而，最大和最小传输特性的巨大差异使得ID电平不可预测，具有简单的固定栅极偏置电压。为了获得静态漏极电流ID和漏极 - 源极电压VDS的合理限制，必须使用源电阻器和分压器偏置技术。除了少数例外，MOSFET偏置电路与用于JFET的电路类似。下面讨论各种FET（场效应晶体管）偏置电路：固定偏置固定偏置场效应晶体管FET-场效应晶体管器件的直流偏置需要设置栅源电压VGS来获得所需的漏电流

http://www.szyxwkj.com/Article/fetcxyjtgp_1.html

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

相关搜索/Related search

壹芯微资讯中心

导航/Navigation

地址/Address

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

相关搜索/Related search

壹芯微资讯中心

导 航/Navigation

地 址/Address

导航/Navigation

地址/Address